本書(shū)從電力電子到功率集成電路（PIC）、智能功率技術(shù)、器件等方面給電源管理和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了一個(gè)完整的描述。本書(shū)不僅介紹了集成功率半導(dǎo)體器件，如橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（LDMOSFET）、橫向絕緣柵雙極型晶體管（LIGBT）和超結(jié)LDMOSFET的內(nèi)部物理現(xiàn)象，還對(duì)電源管理系統(tǒng)進(jìn)行了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。本書(shū)

本書(shū)是固態(tài)電子器件的教材，全書(shū)分為固體物理基礎(chǔ)和半導(dǎo)體器件物理兩大部分，共10章。第1章至第4章介紹半導(dǎo)體材料及其生長(zhǎng)技術(shù)、量子力學(xué)基礎(chǔ)、半導(dǎo)體能帶以及過(guò)剩載流子。第5章至第10章介紹各種電子器件和集成電路的結(jié)構(gòu)、工作原理以及制造工藝等，包括：p-n結(jié)、金屬-半導(dǎo)體結(jié)、異質(zhì)結(jié)；場(chǎng)效應(yīng)晶體管；雙極結(jié)型晶體管；光電子器件；

半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬計(jì)算方法是現(xiàn)代計(jì)算數(shù)學(xué)和工業(yè)與應(yīng)用數(shù)學(xué)的重要領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬是用電子計(jì)算機(jī)模擬半導(dǎo)體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設(shè)計(jì)和研制新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書(shū)主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導(dǎo)體問(wèn)題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導(dǎo)體瞬態(tài)問(wèn)題的塊中心差分方

本書(shū)系統(tǒng)并扼要介紹國(guó)際上從上世紀(jì)八十年代直到今天持續(xù)活躍的關(guān)于半導(dǎo)體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導(dǎo)體中氫原子與分子的最初實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國(guó)內(nèi)研究人員的貢獻(xiàn)），到硅等元素半導(dǎo)體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導(dǎo)體中氫的基本性質(zhì)和重要效應(yīng)。其中包括對(duì)材料和器件研制至關(guān)重要的含氫復(fù)合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導(dǎo)

本書(shū)對(duì)當(dāng)前主要應(yīng)用的薄膜技術(shù)及相關(guān)設(shè)備進(jìn)行了深入淺出的介紹，主要包括作為*重要的半導(dǎo)體襯底的硅單晶材料學(xué)、薄膜基礎(chǔ)知識(shí)、PVD技術(shù)、CVD技術(shù)及其他相關(guān)的薄膜加工技術(shù)，在對(duì)各種技術(shù)進(jìn)行介紹的同時(shí)，還對(duì)各種技術(shù)所應(yīng)用的設(shè)備進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。本書(shū)提供配套電子課件。本書(shū)作為半導(dǎo)體薄膜技術(shù)的入門(mén)書(shū)籍，既有薄膜技術(shù)的基本理論介紹，又

本書(shū)是《AltiumDesigner原理圖與PCB設(shè)計(jì)》(西安電子科技大學(xué)出版社，趙毓林編)一書(shū)的配套實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)。本書(shū)以目前電子組裝技術(shù)主流SMT為主要內(nèi)容，以自主研發(fā)的MP3-FM播放器為教學(xué)實(shí)例，使學(xué)生逐步了解并掌握現(xiàn)代電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造、生產(chǎn)、裝配、檢測(cè)、調(diào)試全過(guò)程。全書(shū)共7章，包括表面貼裝技術(shù)基礎(chǔ)、表面貼裝工

本書(shū)主要描述半導(dǎo)體材料的主要測(cè)試分析技術(shù)，介紹各種測(cè)試技術(shù)的基本原理、儀器結(jié)構(gòu)、樣品制備和分析實(shí)例，主要包括載流子濃度(電阻率)、少數(shù)載流子壽命、發(fā)光等性能以及雜質(zhì)和缺陷的測(cè)試，其測(cè)試分析技術(shù)涉及到四探針電阻率測(cè)試、無(wú)接觸電阻率測(cè)試、擴(kuò)展電阻、微波光電導(dǎo)衰減測(cè)試、霍爾效應(yīng)測(cè)試、紅外光譜測(cè)試、深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試、正電子湮滅

本書(shū)第3版完全囊括了該領(lǐng)域的新發(fā)展現(xiàn)狀，并包括了新的教學(xué)手段，以幫助讀者能更好地理解。第3版不僅闡述了所有新的測(cè)量技術(shù)，而且檢驗(yàn)了現(xiàn)有技術(shù)的新解釋和新應(yīng)用。 本書(shū)仍然是專門(mén)用于半導(dǎo)體材料與器件測(cè)量表征技術(shù)的教科書(shū)。覆蓋范圍包括全方位的電氣和光學(xué)表征方法，包括更專業(yè)化的化學(xué)和物理技術(shù)。熟悉前兩個(gè)版本的讀

本書(shū)根據(jù)教育部新的課程改革要求，在已取得多項(xiàng)教學(xué)改革成果的基礎(chǔ)上進(jìn)行編寫(xiě)。內(nèi)容主要包括半導(dǎo)體物理和晶體管原理兩部分，其中，第1章介紹半導(dǎo)體材料特性，第2～3章系統(tǒng)闡述PN結(jié)和雙極型晶體管，第4～5章系統(tǒng)闡述半導(dǎo)體表面特性和MOS型晶體管，第6章介紹其他幾種常用的半導(dǎo)體器件。全書(shū)結(jié)合高等職業(yè)院校的教學(xué)特點(diǎn)，側(cè)重于物理概念

本書(shū)主要內(nèi)容包括單晶爐的基本知識(shí)、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統(tǒng)及熱場(chǎng)、晶體生長(zhǎng)控制器、原輔材料的準(zhǔn)備、直拉單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)、鑄錠多晶硅工藝、摻雜技術(shù)等內(nèi)容。本書(shū)可作為各類院校太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)硅材料技術(shù)專業(yè)、新能源專業(yè)的教材，也可作為單晶硅生產(chǎn)企業(yè)的員工培訓(xùn)教材，還可作為相關(guān)專業(yè)工程技術(shù)人員的參考書(shū)。