由于石墨烯材料具有眾多的優(yōu)異特性，使其在半導體領域有著廣闊的應用前景，本書詳細介紹了石墨烯材料在半導體中的應用。全書共8章，包含三大部分內(nèi)容，分別為石墨烯材料簡述（第1~3章）、石墨烯在半導體器件中的應用（第4~6章）和石墨烯在半導體封裝散熱中的應用（第7~8章）。石墨烯材料簡述部分介紹了石墨烯材料及其發(fā)展和產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，

本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術設備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學和動力學的角度詳細闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長機理及其相關理論，重點討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長理論和硅鍺低

本書全面系統(tǒng)地介紹了半導體薄膜的各種制備技術及其相關的物理基礎，全書共分十一章。第一章概述了真空技術，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積技術，第九章介紹了半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術，第十

表面組裝技術（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過焊接形成可靠的焊點，建立長期的機械和電氣連接的組裝技術。本書以表面組裝技術（SMT）生產(chǎn)過程為主線，詳細介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術，主要內(nèi)容包括表面組裝技術概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測與返修等，其

本書在介紹半導體材料綜述，半導體材料的結(jié)構(gòu)、特性及理論基礎，半導體材料的雜質(zhì)、缺陷及其輻射效應，半導體器件應用及納米半導體材料等的基礎上，對國內(nèi)外發(fā)光材料研究、開發(fā)與應用領域中取得的成就也進行了闡述。主要內(nèi)容包括：半導體材料發(fā)展簡史、半導體材料的主要用途、半導體材料的性能及其與器件的關系等。

本書介紹了硅材料的結(jié)構(gòu)與性能、分類及應用、主要制備技術及工藝，重點對太陽能電池、探測器等硅基光電子器件的結(jié)構(gòu)與原理做了闡述，在此基礎上分析了新型廣譜硅材料的特點、結(jié)構(gòu)、光電性能、研究現(xiàn)狀及其在光電子器件方面的應用。本書中作者圍繞硫族元素超飽和摻雜硅材料的制備、結(jié)構(gòu)、特性、超飽和硫摻雜硅探測器與太陽能電池的研制及性能等方

本書從光的特性入手，詳細介紹了半導體材料光電特性以及光、電相互作用機制和基本物理過程，重點闡述了半導體太陽能電池、光電導器件、光電二極管、光電耦合器件、CMOS圖像傳感器、發(fā)光二極管和半導體激光器等半導體光電子器件的工作機制、基本物理過程、基本性能曲線、關鍵參數(shù)及影響器件性能的因素等。本書既可作為微電子、光電子及相關學

GaN基寬禁帶半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有很高的應用價值，是發(fā)展高頻、高功率電子器件*優(yōu)選的半導體材料。本書基于國內(nèi)外GaN基電子材料和器件的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢，從晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細論述了GaN基半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)和二維電子氣的物理性質(zhì)、國內(nèi)外發(fā)展動態(tài)、面臨的關鍵科學技術問題

光刻機像質(zhì)檢測技術是支撐光刻機整機與分系統(tǒng)滿足光刻機分辨率、套刻精度等性能指標要求的關鍵技術。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機像質(zhì)檢測技術。介紹了國際主流的光刻機像質(zhì)檢測技術，詳細介紹了本團隊提出的系列新技術，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術，包括初級像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技

光刻機像質(zhì)檢測技術是支撐光刻機整機與分系統(tǒng)滿足光刻機分辨率、套刻精度等性能指標要求的關鍵技術。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機像質(zhì)檢測技術。介紹了國際主流的光刻機像質(zhì)檢測技術，詳細介紹了本團隊提出的系列新技術，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術，包括初級像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技