《基于弛豫鐵電單晶PMN-PT的新型器件（英文版）》一書介紹了基于鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛晶體(PMN-PT)設(shè)計開發(fā)的原型器件，初步探索了鐵電材料在信息技術(shù)領(lǐng)域的新應(yīng)用。首先，利用PMN-26PT單晶作為介電層，單層二硫化鉬作為溝道半導(dǎo)體構(gòu)筑了一種光熱調(diào)控型場效應(yīng)晶體管,為FET器件提供了一種新的策略。其次，采用銀納米線作為

本書共分為4章，內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)、功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)、化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)。筆者在書中各處開設(shè)了專欄，用以介紹每個領(lǐng)域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題，這些例題出自日本科學技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級可靠性技術(shù)者”資格認定考

本書介紹了熱敏(溫敏)電阻器的基本知識(分類、電導(dǎo)機制)、制備工藝、特性分析、測試表征。在儀器儀表中的應(yīng)用，溫度測量儀表的研制，及其計量測試方法進行了闡述。特別是從陶瓷中發(fā)生的電子過程出發(fā)，論述了陶瓷的半導(dǎo)化過程及電導(dǎo)機制。著重論述了電路設(shè)計及應(yīng)用，計量示值誤差標定方案和相關(guān)的計量技術(shù)規(guī)范，為熱敏陶瓷及其元件的制造、應(yīng)

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復(fù)雜。《彈性半導(dǎo)體的多場耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學、連續(xù)介質(zhì)熱力學及靜電學的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學及板殼力學的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

擬申報中國科學技術(shù)大學一流規(guī)劃教材。本書專為高年級本科生以及研究生的教學所需設(shè)計，主要介紹半導(dǎo)體器件基本原理的知識內(nèi)容，反映當今半導(dǎo)體器件在概念和性能等方面的最新進展，可以使讀者快速地了解當今半導(dǎo)體物理和所有主要器件，如雙極、場效應(yīng)、微波和光子器件的性能特點。

本書首先深入探討了量子力學基礎(chǔ)及其在物質(zhì)、能帶理論、半導(dǎo)體和集成電路等領(lǐng)域的應(yīng)用。從電子的波動性質(zhì)、不確定性原理到量子隧穿效應(yīng)，逐步揭示量子世界的奧秘。接著，通過能帶理論和半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的解析，闡明了半導(dǎo)體材料的電子行為。此外，還詳細介紹了摻雜半導(dǎo)體、晶格振動以及載流子輸運現(xiàn)象等關(guān)鍵概念。最后，探討了MOS結(jié)構(gòu)、場效應(yīng)

本書為1X電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級證書（高級）考核配套題庫，以職業(yè)技能等級標準和培訓(xùn)教材（高級）為依據(jù)進行編寫。題庫重點圍繞生產(chǎn)管理與準備、焊膏貼片膠涂敷、元器件貼裝、電子裝聯(lián)微焊接、自動接觸式與非接觸式檢測、返修技術(shù)、特種微焊接、故障診斷、分析與可靠性等角度進行。題庫分為知識要求試題和技能要求試題兩部分，并附有知識要求試

《碳化硅器件工藝核心技術(shù)》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質(zhì)制備等關(guān)鍵工藝技術(shù)，以及高功率SiC單極和雙極開關(guān)器件、SiC納米結(jié)構(gòu)的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關(guān)文獻，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢。《碳化硅器

本書不僅介紹了半導(dǎo)體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對應(yīng)的等離子體源和刻蝕氣體化學物質(zhì)進行了詳細解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導(dǎo)體廠商實際使用的刻蝕設(shè)備的類型和等離子體產(chǎn)生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，

本書系統(tǒng)地討論了第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應(yīng)用中不同類型的器件結(jié)構(gòu)，同時詳細地討論了SiC和GaN功率器件的設(shè)計、制造，以及智能功率集成中的技術(shù)細節(jié)。也討論了寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的柵極驅(qū)動設(shè)計，以及SiC和GaN功率器件的應(yīng)用。最后對寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的未來發(fā)展進行了展望。