作為國家信息產業(yè)的基礎技術之一，光電子技術在寬帶互聯(lián)網、高性能計算、智能機器人、先進制造和智慧城市等多個領域起到關鍵性支撐作用。它也因此成為了衡量一個國家綜合實力和國際競爭力的重要標志。本書依據未來半導體光電子器件及光電集成系統(tǒng)發(fā)展趨勢，結合復合型人才培養(yǎng)需要，從半導體材料及其光電現(xiàn)象、半導體光電子器件的物理基礎入手，

本書介紹了熱敏(溫敏)電阻器的基本知識(分類、電導機制)、制備工藝、特性分析、測試表征。在儀器儀表中的應用，溫度測量儀表的研制，及其計量測試方法進行了闡述。特別是從陶瓷中發(fā)生的電子過程出發(fā)，論述了陶瓷的半導化過程及電導機制。著重論述了電路設計及應用，計量示值誤差標定方案和相關的計量技術規(guī)范，為熱敏陶瓷及其元件的制造、應

彈性半導體結構的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復雜。《彈性半導體的多場耦合理論與應用》基于連續(xù)介質力學、連續(xù)介質熱力學及靜電學的基本原理，建立了半導體的連續(xù)介質物理模型。以該模型為基礎，采用材料力學及板殼力學的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導體結構中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導體結構（

擬申報中國科學技術大學一流規(guī)劃教材。本書專為高年級本科生以及研究生的教學所需設計，主要介紹半導體器件基本原理的知識內容，反映當今半導體器件在概念和性能等方面的最新進展，可以使讀者快速地了解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波和光子器件的性能特點。

本書首先深入探討了量子力學基礎及其在物質、能帶理論、半導體和集成電路等領域的應用。從電子的波動性質、不確定性原理到量子隧穿效應，逐步揭示量子世界的奧秘。接著，通過能帶理論和半導體能帶結構的解析，闡明了半導體材料的電子行為。此外，還詳細介紹了摻雜半導體、晶格振動以及載流子輸運現(xiàn)象等關鍵概念。最后，探討了MOS結構、場效應

本書為1X電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級證書（高級）考核配套題庫，以職業(yè)技能等級標準和培訓教材（高級）為依據進行編寫。題庫重點圍繞生產管理與準備、焊膏貼片膠涂敷、元器件貼裝、電子裝聯(lián)微焊接、自動接觸式與非接觸式檢測、返修技術、特種微焊接、故障診斷、分析與可靠性等角度進行。題庫分為知識要求試題和技能要求試題兩部分，并附有知識要求試

《碳化硅器件工藝核心技術》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質制備等關鍵工藝技術，以及高功率SiC單極和雙極開關器件、SiC納米結構的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關文獻，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢�！短蓟�硅器

本書不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關鍵刻蝕參數(shù)、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質進行了詳細解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術，介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設備的類型和等離子體產生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，

本書系統(tǒng)地討論了第三代半導體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應用中不同類型的器件結構，同時詳細地討論了SiC和GaN功率器件的設計、制造，以及智能功率集成中的技術細節(jié)。也討論了寬禁帶半導體功率器件的柵極驅動設計，以及SiC和GaN功率器件的應用。最后對寬禁帶半導體功率器件的未來發(fā)展進行了展望。

目前以有機/聚合物和半導體量子點為代表的新型電致發(fā)光材料與器件受到了國內外眾多企業(yè)和人士的廣泛關注。本書從新型電致發(fā)光材料與器件原理，以及關鍵材料的開發(fā)與應用技術出發(fā)，內容涵蓋有機電致發(fā)光概念與過程、有機電致發(fā)光材料、有機電致發(fā)光器件、半導體量子點材料、半導體量子點電致發(fā)光器件、鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件等。全書反