主要內(nèi)容共6章，包括：緒論、壓接型IGBT器件失效模擬與可靠性評估、金屬化膜電容器失效模擬與可靠性評估、采用關(guān)鍵部件故障率模型的換流閥可靠性評估模型、采用關(guān)鍵部件物理場失效模擬的換流閥可靠性評估模型、換流閥可靠性評估軟件。全書以壓接型IGBT器件、金屬化膜電容器等柔直換流閥核心部件可靠性分析為基礎(chǔ)，系統(tǒng)闡述了柔性直流換

本書系統(tǒng)全面地闡述了真空鍍膜技術(shù)的基本理論知識(shí)體系以及各種真空鍍膜方法、設(shè)備及工藝。對最新的薄膜類型、性能檢測及評價(jià)、真空鍍膜技術(shù)及裝備等內(nèi)容也進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，如金剛石薄膜的應(yīng)用及大面積制備技術(shù)、工藝、性能評價(jià)等。本書敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而精煉，工程實(shí)踐性強(qiáng)，在強(qiáng)化理論的同時(shí)，重點(diǎn)突出了工程應(yīng)用，具有很強(qiáng)的實(shí)用性，

《芯片用硅晶片的加工技術(shù)》由淺入深地介紹了半導(dǎo)體硅及集成電路的有關(guān)知識(shí)，并著重對滿足納米集成電路用優(yōu)質(zhì)大直徑300mm硅單晶拋光片和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)用晶體硅太陽電池晶片的制備工藝、技術(shù)，以及對生產(chǎn)工藝廠房的設(shè)計(jì)要求進(jìn)行了全面系統(tǒng)的論述。書中附有大量插圖、表格等技術(shù)資料，可供致力于半導(dǎo)體硅材料工作的科技人員、企業(yè)管理人員和

本書從LED芯片制作、LED封裝和LED應(yīng)用等方面介紹了LED的基本概念與相關(guān)技術(shù)，詳細(xì)講解了LED封裝過程中和開發(fā)應(yīng)用產(chǎn)品時(shí)應(yīng)該注意的一些技術(shù)問題，并以引腳式LED封裝為基礎(chǔ)，進(jìn)一步介紹了平面發(fā)光式、SMD、大功率LED的三種不同封裝形式及其相應(yīng)的產(chǎn)品在實(shí)際生產(chǎn)中的操作技術(shù)。本書還討論了LED在不同領(lǐng)域的應(yīng)用技術(shù)，最

本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長理論和硅鍺低

表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預(yù)先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過焊接形成可靠的焊點(diǎn)，建立長期的機(jī)械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過程為主線，詳細(xì)介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測與返修等，其

光刻機(jī)像質(zhì)檢測技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測技術(shù)。介紹了國際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技

光刻機(jī)像質(zhì)檢測技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測技術(shù)。介紹了國際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技

寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強(qiáng)高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性質(zhì)，不僅在制備短波長光電子器件方面具有不可替代性，而且是制備高功率、高頻、高溫射頻電子器件和功率電子器件的**選半導(dǎo)體體系，在信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國防軍工等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價(jià)值。本書系統(tǒng)介紹了Ⅲ族氮化物、SiC、金剛石和Ga2O

《非晶Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運(yùn)研究》采取非熱平衡制備條件，利用磁控濺射的方法在純氬氣（Ar）以及氬氫（Ar；H）混合氣體中，制備了高FeCo摻雜含量的非晶Ge基磁性半導(dǎo)體（FeCo）xCe1-x薄膜以及（FeCo）xGe1-x/Ge異質(zhì)結(jié)，從磁特性和電輸運(yùn)特性的角度進(jìn)行了研究�！斗蔷�Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運(yùn)

本書是作者長期從事直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場耦合作用對晶體生長的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測、智能優(yōu)化及

本書對復(fù)雜的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)智能調(diào)度問題從理論到方法再到應(yīng)用,進(jìn)行了系統(tǒng)論述。主要內(nèi)容包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)調(diào)度框架、半導(dǎo)體制造系統(tǒng)數(shù)據(jù)預(yù)處理的方法、半導(dǎo)體生產(chǎn)線性能指標(biāo)相關(guān)性分析、智能化投料控制策略、一種模擬信息素機(jī)制的動(dòng)態(tài)派工規(guī)則、基于負(fù)載均衡的半導(dǎo)體生產(chǎn)線的動(dòng)態(tài)調(diào)度和性能指標(biāo)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線動(dòng)態(tài)調(diào)度方法、大

有機(jī)光功能材料與器件在信息、工業(yè)、國防、醫(yī)療等各個(gè)行業(yè)都有重要的應(yīng)用，是未來光子發(fā)展以及國際高技術(shù)競爭的重要陣地。本書重點(diǎn)介紹了有機(jī)光功能材料及其在激光器件方面的應(yīng)用，從光功能材料的發(fā)光機(jī)理、激發(fā)態(tài)過程及激光基礎(chǔ)理論出發(fā)，討論有機(jī)微納激光發(fā)展現(xiàn)狀和未來的激光顯示應(yīng)用。

本書以作者及其研究團(tuán)隊(duì)多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實(shí)用性為一體。全書共12章，內(nèi)容包括：Ⅲ族氮化物L(fēng)ED的基本原理、材料性質(zhì)及外延生長理論，InGaN/GaN多量子阱材料及藍(lán)、綠光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮

本書為“低維材料與器件叢書”之一。全書主要介紹低維半導(dǎo)體光子學(xué)的物理基礎(chǔ)，低維半導(dǎo)體材料制備與能帶調(diào)控、瞬態(tài)光學(xué)特性、光傳輸與光反饋、光子調(diào)控、非線性光學(xué)性質(zhì)和納米尺度光學(xué)表征與應(yīng)用，以及基于低維半導(dǎo)體材料或結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管、激光器、光調(diào)制器和非線性光學(xué)器件等，最后介紹了基于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)集成光子器件與技術(shù)。本書力求為

SiC功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎(chǔ)，在消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國防軍工等領(lǐng)域，具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封裝測試和系統(tǒng)集成，具有重要的研究價(jià)值和應(yīng)用前景。圍繞SiC功率器件的基礎(chǔ)研究和前沿應(yīng)用，本書系統(tǒng)介紹了SiC功率器件的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢，分析了器件的電-熱性能表征方

本書針對太陽能LED照明的工作原理，運(yùn)行方式，分類以及對太陽能光伏照明系統(tǒng)的各個(gè)組成部件（太陽電池，蓄電池，控制器，LED燈具）做了詳細(xì)的介紹，在此基礎(chǔ)上重點(diǎn)分析了太陽能LED照明系統(tǒng)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)和整體優(yōu)化，并分析太陽能LED照明系統(tǒng)的安裝設(shè)計(jì)注意的事項(xiàng)。本書適合從事太陽能光伏應(yīng)用和LED照明設(shè)計(jì)的研究人員學(xué)習(xí)使用，也可

有機(jī)熱電是有機(jī)電子學(xué)和能源領(lǐng)域的交叉前沿研究方向之一，自2010年以來取得快速發(fā)展。作為快速起步的新興研究方向，有機(jī)熱電材料與器件缺乏聚焦該方向的專著。本書圍繞分子體系的熱電能量轉(zhuǎn)換過程、機(jī)制、功能與應(yīng)用，系統(tǒng)闡述有機(jī)熱電領(lǐng)域的發(fā)展機(jī)遇、現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)，對推動(dòng)該領(lǐng)域的快速發(fā)展具有重要學(xué)術(shù)價(jià)值。本書根據(jù)該領(lǐng)域的特點(diǎn)和自身發(fā)展

《信息功能器件》論述了從材料效應(yīng)到功能器件的邏輯關(guān)系，系統(tǒng)地闡述了信息功能材料的基本效應(yīng)、材料特性以及信息功能器件的原理、結(jié)構(gòu)及應(yīng)用。全書共9章，第1章介紹信息功能材料和信息功能器件，信息功能器件的研究內(nèi)容以及信息功能材料和器件的發(fā)展態(tài)勢；第2章講解摻雜半導(dǎo)體材料和器件的基礎(chǔ)知識(shí)；第3章到第9章依次講述摻雜半導(dǎo)體材料的

本書以碳化硅和氮化鎵電力電子器件為主要對象，首先介紹寬禁帶電力電子器件的現(xiàn)狀與發(fā)展，闡述寬禁帶電力電子器件的物理基礎(chǔ)與基本原理；然后介紹寬禁帶電力電子器件的特性與參數(shù)，分析寬禁帶電力電子器件在單管電路和橋臂電路中的工作原理與性能特點(diǎn)，闡述寬禁帶電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、原理與設(shè)計(jì)方法；最后介紹在寬禁帶電力電子器件