本書為新能源類專業(yè)教學(xué)資源庫建設(shè)配套教材。本書主要講述了改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的制備原理及生產(chǎn)過程，內(nèi)容包括三氯氫硅的合成、精餾提純，三氯氫硅氫還原制備高純硅，尾氣干法回收，硅芯的制備等核心內(nèi)容，同時對氣體的制備與凈化、四氯化硅的綜合利用與處理、純水的制備做了詳細(xì)介紹。本書緊密結(jié)合生產(chǎn)實(shí)踐，注重理論與實(shí)踐的有機(jī)結(jié)合。書

本書根據(jù)作者從事半導(dǎo)體材料研究所積累的理論知識、工作經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)資料，在查閱了大量的書籍和文獻(xiàn)資料的基礎(chǔ)上，將與半導(dǎo)體材料專業(yè)技術(shù)相關(guān)的知識要點(diǎn)提取出來，并根據(jù)作者的理解將相關(guān)內(nèi)容分成6個部分，即半導(dǎo)體材料概述、材料物理性能、晶體生長、熱處理、材料性能測量和半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)技術(shù)。其中半導(dǎo)體材料物理性能被劃分為三大類12個方

名師講科技前沿系列是作者在清華大學(xué)長期授課教案的歸納和擴(kuò)展。《圖解OLED顯示技術(shù)》是其中的一個分冊，內(nèi)容包括OLED發(fā)展簡介、OLED如何實(shí)現(xiàn)發(fā)光和顯示、如何提高OLED的發(fā)光效率、OLED的結(jié)構(gòu)和材料、OLED是如何制造的、OLED的現(xiàn)狀和未來等，涉及OLED的方方面面。針對OLED的入門者、制作者、研究開發(fā)者等多

本書結(jié)合我國節(jié)能減排工程計(jì)劃和國內(nèi)外風(fēng)光互補(bǔ)LED照明系統(tǒng)的發(fā)展動態(tài)，系統(tǒng)地講解了風(fēng)光互補(bǔ)LED照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、施工、安裝、調(diào)試及應(yīng)用。本書主要內(nèi)容包括太陽能、風(fēng)能、風(fēng)光互補(bǔ)LED照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì)相關(guān)的基礎(chǔ)知識，太陽能LED路燈、景觀燈的應(yīng)用。同時也深入淺出地闡述了太陽能板、風(fēng)力發(fā)電機(jī)、蓄電池、風(fēng)光互補(bǔ)控制器、LED光源

本書基于作者多年從事LED芯片設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的經(jīng)驗(yàn)，詳細(xì)介紹了提高水平結(jié)構(gòu)LED芯片、倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片和高壓LED芯片外量子效率的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)。采用微加工技術(shù)在水平結(jié)構(gòu)LED芯片的正面、底面和側(cè)面集成微納光學(xué)結(jié)構(gòu)，提高其發(fā)光效率。采用高反射率、低阻P型歐姆接觸電極和通孔接觸式N型電極提高倒裝結(jié)構(gòu)LED芯

本書為“低維材料與器件叢書”之一。過去二十多年，半導(dǎo)體納米線因其獨(dú)特結(jié)構(gòu)與優(yōu)異性能引起了世界各國科學(xué)家的高度關(guān)注與廣泛研究，半導(dǎo)體納米線功能器件在不同領(lǐng)域都展現(xiàn)出巨大的前景。本書基于作者多年的科研工作，并結(jié)合國內(nèi)外的最新研究進(jìn)展，系統(tǒng)介紹了半導(dǎo)體納米線功能器件的研究成果。內(nèi)容涵蓋了從半導(dǎo)體納米線功能器件的發(fā)展現(xiàn)狀和加工

本書由淺入深、系統(tǒng)地介紹了幾種常用的微波半導(dǎo)體器件的電磁損傷機(jī)理。首先介紹了幾種微波半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識和典型的電磁脈沖及其效應(yīng)，然后重點(diǎn)通過仿真分析和實(shí)驗(yàn)分析介紹了幾種微波半導(dǎo)體器件的電磁損傷機(jī)理，最后簡要介紹了幾種半導(dǎo)體器件電磁損傷模型。

TFTLCD液晶顯示器在平板顯示器中脫穎而出，在顯示器市場獨(dú)占整頭。目前以TFTLCD為代表的平板顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，為適應(yīng)平板顯示產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展的要求，本書作者編寫了薄型顯示器叢書�！禕R》本冊闡述TFT液晶顯示的基本原理和技術(shù)，共分4章：第1章介紹液晶顯示的歷史和現(xiàn)狀；第2章以近乎動（畫）、漫（畫）的形式形象直觀地介紹

《純電動汽車IGBT可靠性及健康管理研究》詳細(xì)闡述了純電動汽車IGBT的基本知識和研究現(xiàn)狀。系統(tǒng)介紹了IGBT模塊的主要失效模式以及狀態(tài)監(jiān)測參數(shù)；IGBT模塊的加速模型；基于K-S檢驗(yàn)的壽命分布方法，基于ALTA軟件的仿真分析方法；IGBT模塊散熱分析；IGBT模塊的關(guān)于PHM技術(shù)的研究方案以及三種主流的故障預(yù)測技術(shù)；

本書從有機(jī)薄膜晶體管的發(fā)展歷程、器件結(jié)構(gòu)與原理、材料種類、器件性能及應(yīng)用等方面對這種新型的有機(jī)電子器件作了較全面的論述。重點(diǎn)梳理了作者及國內(nèi)外同行在有機(jī)薄膜晶體管有源層及介電層材料方面的研究成果，涵蓋小分子材料、高分子材料、液晶材料、介電材料、材料計(jì)算模擬、有機(jī)單晶材料的發(fā)展與生長方法等。系統(tǒng)闡述了提高有機(jī)薄膜晶體管器

本書梳理和總結(jié)了中國科學(xué)院院士、半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家王占國院士近60年從事半導(dǎo)體材料領(lǐng)域科研活動的歷程。主要包括王占國院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎項(xiàng)以及育人情況等內(nèi)容。王占國院士是我國著名的半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家，對推動我國半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)繁榮、學(xué)科發(fā)展、

本書重點(diǎn)介紹了各種不同類型的界面插層材料對NiFe磁阻薄膜材料結(jié)構(gòu)及電輸運(yùn)性能的影響。全書共7章，內(nèi)容包括：磁電阻薄膜材料簡介、NiFe薄膜材料研究現(xiàn)狀、薄膜制備及結(jié)構(gòu)性能表征方法等。

本書根據(jù)大功率IGBT驅(qū)動與保護(hù)技術(shù)的**發(fā)展現(xiàn)狀，結(jié)合團(tuán)隊(duì)多年積累的科研成果和技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，對IGBT驅(qū)動和保護(hù)技術(shù)進(jìn)行了全面的介紹。全書在介紹IGBT器件及驅(qū)動**發(fā)展現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，從IGBT器件結(jié)構(gòu)、特性以及工作原理出發(fā)，詳細(xì)地分析了影響大功率IGBT開關(guān)特性的因素，介紹了IGBT模塊的參數(shù)，進(jìn)而對IGBT模塊的驅(qū)動

近年來，全球OLED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)布局發(fā)展迅猛，柔性高世代OLED生產(chǎn)線陸續(xù)建設(shè)、投產(chǎn)，OLED產(chǎn)業(yè)無疑成為電子信息領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)藍(lán)海。然而與之不相匹配的是OLED專業(yè)人員和相關(guān)書籍的嚴(yán)重不足�！禣LED顯示技術(shù)導(dǎo)論》從有機(jī)電致發(fā)光二極管設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)理論著手，逐步拓展到當(dāng)前實(shí)際工程應(yīng)用到的各種發(fā)光器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用原理。涉及的內(nèi)容

傳感器在降低環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)、保障人身及財(cái)產(chǎn)安全等方面發(fā)揮了重要作用。采用氧化物半導(dǎo)體氣敏材料制作的傳感器以其成本低、耗能少、制作和使用方便、響應(yīng)靈敏等優(yōu)點(diǎn)越來越受到人們的廣泛關(guān)注。本書除了系統(tǒng)總結(jié)作者近年來在該領(lǐng)域取得的重要研究成果之外，還詳細(xì)闡述了氧化物半導(dǎo)體氣敏材料的敏感機(jī)理、研究進(jìn)展、發(fā)展趨勢及存在問題，重點(diǎn)介紹了幾種

半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬計(jì)算方法是現(xiàn)代計(jì)算數(shù)學(xué)和工業(yè)與應(yīng)用數(shù)學(xué)的重要領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬是用電子計(jì)算機(jī)模擬半導(dǎo)體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設(shè)計(jì)和研制新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導(dǎo)體問題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導(dǎo)體瞬態(tài)問題的塊中心差分方

本書系統(tǒng)并扼要介紹國際上從上世紀(jì)八十年代直到今天持續(xù)活躍的關(guān)于半導(dǎo)體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導(dǎo)體中氫原子與分子的最初實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國內(nèi)研究人員的貢獻(xiàn)），到硅等元素半導(dǎo)體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導(dǎo)體中氫的基本性質(zhì)和重要效應(yīng)。其中包括對材料和器件研制至關(guān)重要的含氫復(fù)合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導(dǎo)

本書從白光LED的光譜設(shè)計(jì)與封裝出發(fā)，立足于解決當(dāng)前高光色質(zhì)量的白光LED設(shè)計(jì)與制造中存在的關(guān)鍵性難點(diǎn)。全書分為6章，分別是白光LED簡介、高顯色性能的白光LED光譜優(yōu)化、針對人體生物安全性的LED光譜優(yōu)化方法、考慮物體表面反射特性的節(jié)能光源光譜優(yōu)化、高光學(xué)性能的白光LED光學(xué)建模和高光學(xué)性能的白光LED封裝優(yōu)化。

本書主要描述半導(dǎo)體材料的主要測試分析技術(shù)，介紹各種測試技術(shù)的基本原理、儀器結(jié)構(gòu)、樣品制備和分析實(shí)例，主要包括載流子濃度(電阻率)、少數(shù)載流子壽命、發(fā)光等性能以及雜質(zhì)和缺陷的測試，其測試分析技術(shù)涉及到四探針電阻率測試、無接觸電阻率測試、擴(kuò)展電阻、微波光電導(dǎo)衰減測試、霍爾效應(yīng)測試、紅外光譜測試、深能級瞬態(tài)譜測試、正電子湮滅

本書主要內(nèi)容包括單晶爐的基本知識、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統(tǒng)及熱場、晶體生長控制器、原輔材料的準(zhǔn)備、直拉單晶硅生長技術(shù)、鑄錠多晶硅工藝、摻雜技術(shù)等內(nèi)容。本書可作為各類院校太陽能光伏產(chǎn)業(yè)硅材料技術(shù)專業(yè)、新能源專業(yè)的教材，也可作為單晶硅生產(chǎn)企業(yè)的員工培訓(xùn)教材，還可作為相關(guān)專業(yè)工程技術(shù)人員的參考書。