本書系“電路與仿真”叢書之一。本書全面講述使用TannerToolsPro進行集成電路設(shè)計、電路仿真以及電路布局的方法�！禕R》全書共17章。第1章為基礎(chǔ)部分，主要介紹TannerToolsPro軟件的基本功能及其工作環(huán)境；第2～9章指導(dǎo)讀者使用S-Edit設(shè)計電路并利用T-Spice檢驗電路；第10～16章講述用L-

本書從集成電路驗證領(lǐng)域存在的問題出發(fā)，詳細(xì)介紹數(shù)字電路和模擬電路驗證方法，主要包括設(shè)計驗證語言基礎(chǔ)、模擬仿真驗證、覆蓋率檢驗方法、電路的形式驗證、物理驗證、SPICE仿真、低功耗設(shè)計和驗證方法、低功耗驗證技術(shù)實例、硅后驗證等方面。全書緊密圍繞工業(yè)界集成電路驗證流程進行闡述，盡可能覆蓋集成電路驗證領(lǐng)域的現(xiàn)有技術(shù)內(nèi)容，同時

《PCB失效分析技術(shù)》內(nèi)容來自我國先進印制電路制造企業(yè)，是一群長期從事PCB失效分析的資深工程師的經(jīng)驗總結(jié)。作者以常見失效模式為切入點，針對分層起泡、可焊性不良、鍵合不良、導(dǎo)通不良和絕緣不良等，歸納出了失效機理、失效分析思路、失效分析案例�！禤CB失效分析技術(shù)》共8章，主要內(nèi)容包括常用分析技術(shù)、PCB分層失效分析、PC

集成電路制造與封裝基礎(chǔ)

本書是PrintedCircuitsHandbook第6版的中文簡體修訂版。由來自世界各地的印制電路領(lǐng)域的專家團隊撰寫，內(nèi)容包含設(shè)計方法、材料、制造技術(shù)、焊接和組裝技術(shù)、測試技術(shù)、質(zhì)量和可接受性、可焊性、可靠性、廢物處理，也涵蓋高密度互連（HDI）技術(shù)、撓性和剛撓結(jié)合印制電路板技術(shù)，還包括無鉛印制電路板的設(shè)計、制造及焊

本書系統(tǒng)討論用于電子、光電子和MEMS器件的2.5D、3D，以及3DIC集成和封裝技術(shù)的**進展和未來可能的演變趨勢，同時詳盡討論IC三維集成和封裝關(guān)鍵技術(shù)中存在的主要工藝問題和可能的解決方案。通過介紹半導(dǎo)體工業(yè)中的集成電路發(fā)展，以及摩爾定律的起源和演變歷史，闡述三維集成和封裝的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)，結(jié)合當(dāng)前三維集成關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)

本書以貼片機的結(jié)構(gòu)設(shè)計為背景，以提高貼片機靜動態(tài)性能為原則，從貼片機各模塊化結(jié)構(gòu)性能分析入手，運用文獻綜述、拓?fù)鋬?yōu)化、模態(tài)分析等方法和工具進行深入系統(tǒng)的研究，給出了基于有限元方法的貼片機的結(jié)構(gòu)設(shè)計及其性能研究，本書能為貼片機的設(shè)計和研發(fā)及相關(guān)機械設(shè)計、機械工程等領(lǐng)域提供研究方法和設(shè)計幫助。本書可供從事機械設(shè)計、機械工程

本書針對后摩爾時代集成電路中的互連難題，集中討論基于碳納米材料的片上互連技術(shù)和三維集成電路的硅通孔技術(shù)。書中簡單介紹集成電路互連技術(shù)的發(fā)展和后摩爾時代集成電路所面臨的互連極限難題，重點討論碳納米管、石墨烯互連線以及硅通孔互連的一些關(guān)鍵科學(xué)問題，包括碳納米互連的參數(shù)提取和電路模型、硅通孔的電磁建模、新型硅通孔結(jié)構(gòu)、碳納米

本專著結(jié)合作者課題組近30年在高速電路互連領(lǐng)域的研究工作，闡述了互連問題、特別是信號完整性問題產(chǎn)生的機理，建立了認(rèn)識問題的理論方法，給出了解決問題的一些設(shè)計方案，特別是提出了一些互連新技術(shù)。本專著內(nèi)容從互連建模、信號完整性仿真與靈敏度分析、互連優(yōu)化設(shè)計，到毫米波互連、片上無線互連、碳納米互連等互連新技術(shù)，將是國際上關(guān)于

《微電子機械微波通訊信號檢測集成系統(tǒng)》共分為12章，從第1章共性的設(shè)計理論和實現(xiàn)方法出發(fā)，對MEMS微波器件進行了一系列設(shè)計、實驗和系統(tǒng)級S參數(shù)模型的研究。這些器件包括：第2章的一分為二微波功分器，第3章的間接加熱熱電式功率傳感器，第4章的直接加熱熱電式功率傳感器，第5章的電容式功率傳感器，第6章的電容式和熱電式級聯(lián)功

《集成電路制造工藝技術(shù)體系》從三個方面系統(tǒng)地論述集成電路的制造技術(shù)。首先是制造對象，對工藝結(jié)構(gòu)及結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的電子器件特性進行深入的分析與揭示。其次是生產(chǎn)制造本身，詳細(xì)討論集成電路各單步作用的本質(zhì)性特征及各不同工藝技術(shù)在成套流程中的作用，討論高端制造的組織、調(diào)度和管理，工藝流程的監(jiān)控，工藝效果分析與診斷等內(nèi)容。最后是支撐

《印制電路與印制電子先進技術(shù)（上冊）》從印制電路與印制電子新技術(shù)、新材料、新工藝、新設(shè)備、信號完整性、可制造性、可靠性等方面全面系統(tǒng)地論述了何為教授團隊近十年所取得的研究成果。本書內(nèi)容涵蓋了撓性及剛撓結(jié)合印制電路、高密度互聯(lián)印制電路技術(shù)、特種印制電路技術(shù)、高頻印制電路技術(shù)、圖形轉(zhuǎn)移新技術(shù)、基于系統(tǒng)封裝的集成元器件印制電

《印制電路與印制電子先進技術(shù)（下冊）》從印制電路與印制電子新技術(shù)、新材料、新工藝、新設(shè)備、信號完整性、可制造性、可靠性等方面全面系統(tǒng)地論述了何為教授團隊近十年所取得的研究成果。本書內(nèi)容涵蓋了撓性及剛撓結(jié)合印制電路、高密度互聯(lián)印制電路技術(shù)、特種印制電路技術(shù)、高頻印制電路技術(shù)、圖形轉(zhuǎn)移新技術(shù)、基于系統(tǒng)封裝的集成元器件印制電

本書以微波毫米波平面電路設(shè)計分析理論和測試技術(shù)為主要內(nèi)容。概述了微波毫米波非理想平面電路設(shè)計的主要分析方法。針對微波毫米波平面電路設(shè)計中的典型非理想因素，詳細(xì)介紹了屏蔽電路、有限導(dǎo)帶厚度、有耗介質(zhì)、有限接地及多層平面電路垂直互聯(lián)等工程實際電路的分析設(shè)計基礎(chǔ)理論和方法，以及微波、毫米波平面電路和介質(zhì)材料測試技術(shù)。

從實際應(yīng)用出發(fā)詳細(xì)的介紹了低功耗集成電路的設(shè)計與驗證，并具體介紹了數(shù)字集成電路與模擬集成電路不同的驗證原理與方法。最后采用實際應(yīng)用案例的方法具體介紹了VLSI集成電路的低功耗設(shè)計流程和實現(xiàn)方法。從實際應(yīng)用出發(fā)詳細(xì)的介紹了低功耗集成電路的設(shè)計與驗證，并具體介紹了數(shù)字集成電路與模擬集成電路不同的驗證原理與方法。最后采用實際

《集成電路制造技術(shù)》全面系統(tǒng)地介紹了集成電路制造技術(shù)，內(nèi)容包括集成電路制造概述、多晶半導(dǎo)體的制備、單晶半導(dǎo)體的制備、晶圓制備、薄膜制備、金屬有機物化學(xué)氣相沉積、光刻、刻蝕及摻雜�！都�成電路制造技術(shù)》簡要介紹了集成電路制造的基本理論基礎(chǔ)，系統(tǒng)介紹了多晶半導(dǎo)體、單晶半導(dǎo)體與晶圓的制備，詳細(xì)介紹了薄膜制備、光刻與刻蝕及摻雜等

本書系統(tǒng)介紹了基于硅通孔的三維集成電路設(shè)計所涉及的一些關(guān)鍵基礎(chǔ)科學(xué)問題和工程技術(shù)問題，包括硅通孔寄生參數(shù)提取、新型硅通孔建模、三維集成互連線、硅通孔熱應(yīng)力和熱應(yīng)變模型、三維集成電路熱管理、硅通孔的電磁模型和微波濾波器、碳納米管硅通孔和三維集成互連線等，對想深入三維集成電路設(shè)計的研究人員和工程技術(shù)人員具有很強的指導(dǎo)意義和

模擬集成電路設(shè)計與仿真

本書對目前最先進的印刷電路設(shè)計原理、材料分析和工程設(shè)計、分析和測試進行了詳盡講解。作者對PCB電路設(shè)計和制造中的諸多關(guān)鍵問題給出了詳盡的要點分析,通過深入淺出的解釋和講解,該書給出了PCB電路設(shè)計的理論知識、材料分析和工程設(shè)計方法及測試方法。

《低功耗CMOS逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器》系統(tǒng)介紹了低功耗CMOS逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計所涉及的一些關(guān)鍵問題，包括體系結(jié)構(gòu)、高層次模型、電容開關(guān)時序、關(guān)鍵電路技術(shù)、低壓模擬電路、電容陣列布局等，同時介紹當(dāng)前**的流水線SARA/D轉(zhuǎn)換設(shè)計技術(shù)和可配置A/D轉(zhuǎn)換器設(shè)計技術(shù)，是當(dāng)前國外低功耗CMOS混合信號集成電路的前沿研究