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《半導體器件物理學習與考研指導》是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材《半導體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學輔導資料。全書共分為11章，內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬一半導體結、結型場效應晶體管和金屬一半導體場效應晶體管、金屬一氧化物一半導體場效應晶體管、電荷轉移

本書的主要內容包括：高分辨X射線衍射，光學性質檢測分析，表面和薄膜成分分析，掃描探針顯微學在半導體中的運用，透射電子顯微學及其在半導體研究中的應用，半導體深中心的表征。以上內容包括了目前半導體材料（第三代半導體和低維結構半導體材料）物理表征的實驗技術和具體應用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些實驗技術，如LEED，