本書(shū)內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)、二極管及其應(yīng)用電路、晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的基本原理及頻率響應(yīng)、功率放大電路、多級(jí)放大電路、差分放大電路、電流源等模擬集成電路的單元電路、反饋電路、模擬集成運(yùn)算放大器、電壓比較器和波形變換電路等。本書(shū)對(duì)原版教材進(jìn)行了改編，精簡(jiǎn)了內(nèi)容，突出了重點(diǎn)，補(bǔ)充了必要知識(shí)點(diǎn)，內(nèi)容更加新穎和系統(tǒng)化，反映了器件和應(yīng)用的發(fā)展趨勢(shì)，強(qiáng)調(diào)了系統(tǒng)工程的概念。
Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大學(xué)從事電路分析、電子電路基礎(chǔ)等相關(guān)學(xué)科教學(xué)的資深教授，在電子電路學(xué)科領(lǐng)域出版了多部?jī)?yōu)秀教材，受到很高的評(píng)價(jià)。 Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大學(xué)從事電路分析、電子電路基礎(chǔ)等相關(guān)學(xué)科教學(xué)的資深教授，在電子電路學(xué)科領(lǐng)域出版了多部?jī)?yōu)秀教材，受到很高的評(píng)價(jià)。
第1章半導(dǎo)體二極管
1．1概述
1．2半導(dǎo)體材料：鍺、硅和砷化鎵
1．3共價(jià)鍵和本征材料
1．4摻雜材料：n型材料和p型材料
1．5半導(dǎo)體二極管
1．6理想特性與實(shí)際特性
1．7電阻水平
1．8二極管等效電路
1．9勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容
1．10反向恢復(fù)時(shí)間
1．11二極管規(guī)格表
1．12半導(dǎo)體二極管符號(hào)
1．13齊納二極管
1．14發(fā)光二極管
1．15小結(jié)
1．16計(jì)算機(jī)分析
習(xí)題
第2章二極管應(yīng)用
2．1概述
2．2負(fù)載線分析
2．3等效模型分析
2．4與/或門
2．5正弦波輸入、半波整流
2．6全波整流
2．7限幅電路
2．8鉗位電路
2．9齊納二極管
2．10小結(jié)
習(xí)題
第3章雙極性結(jié)型晶體管
3．1概述
3．2晶體管的結(jié)構(gòu)
3．3晶體管的工作原理
3．4共基組態(tài)
3．5晶體管放大原理
3．6共射組態(tài)
3．7共集組態(tài)
3．8晶體管的工作限
3．9晶體管規(guī)格說(shuō)明書(shū)
3．10晶體管外形及引腳識(shí)別
3．11小結(jié)
習(xí)題
第4章BJT電路直流偏置
4．1概述
4．2工作點(diǎn)
4．3固定偏置電路
4．4射極偏置
4．5分壓式偏置
4．6電壓反饋式直流偏置
4．7其他偏置電路
4．8晶體管開(kāi)關(guān)電路
4．9pnp型晶體管
4．10偏置的穩(wěn)定性
4．11小結(jié)
習(xí)題
第5章BJT交流分析
5．1概述
5．2交流放大
5．3BJT管建模
5．4re晶體管模型
5．5混合等效模型
5．6混合π模型
5．7晶體管參數(shù)的變化
5．8固定偏置共射放大電路
5．9分壓式偏置共射放大電路
5．10射極偏置共射放大電路
5．11射極跟隨電路
5．12共基電路
5．13集電極反饋電路
5．14集電極直流反饋電路
5．15電流放大倍數(shù)的確定
5．16RL和RS的影響
5．17雙端口網(wǎng)絡(luò)方法
5．18總結(jié)表
5．19級(jí)聯(lián)系統(tǒng)
5．20達(dá)林頓復(fù)合管
5．21反饋對(duì)復(fù)合管
5．22鏡像電流源電路
5．23電流源電路
5．24簡(jiǎn)化混合等效模型
5．25小結(jié)
習(xí)題
第6章場(chǎng)效應(yīng)晶體管
6．1概述
6．2結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的構(gòu)造和特性
6．3轉(zhuǎn)移特性
6．4規(guī)格清單（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
6．5重要關(guān)系
6．6耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
6．7增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
6．8互補(bǔ)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
6．9總結(jié)表
6．10小結(jié)
習(xí)題
第7章場(chǎng)效應(yīng)管的偏置
7．1概述
7．2固定偏置電路
7．3自偏置電路
7．4分壓偏置電路
7．5耗盡型MOSFET
7．6增強(qiáng)型MOSFET
7．7總結(jié)表
7．8組合電路
7．9p溝道場(chǎng)效應(yīng)管
7．10小結(jié)
習(xí)題
第8章場(chǎng)效應(yīng)管放大器
8．1概述
8．2場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型
8．3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管固定偏置的共源放大電路
8．4結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管自偏置的共源放大電路
8．5結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分壓偏置的共源放大電路
8．6結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的源極跟隨器（共漏極）電路
8．7結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的共柵極電路
8．8耗盡型MOSFET
8．9增強(qiáng)型MOSFET
8．10增強(qiáng)型MOSFET漏極反饋共源放大電路
8．11增強(qiáng)型MOSFET分壓偏置共源放大電路
8．12總結(jié)表
8．13RL和Rsig的影響
8．14級(jí)聯(lián)電路
8．15小結(jié)
習(xí)題
第9章BJT和FET的頻率響應(yīng)
9．1概述
9．2一般的頻率因素
9．3低頻分析――伯德圖
9．4低頻響應(yīng)――BJT放大器
9．5低頻響應(yīng)――FET放大器
9．6密勒效應(yīng)電容或密勒電容
9．7高頻響應(yīng)――BJT放大器
9．8高頻響應(yīng)――FET放大器
9．9多級(jí)頻率響應(yīng)
9．10小結(jié)
習(xí)題
第10章運(yùn)算放大器
10．1概述
10．2差分放大電路
10．3差模和共模操作
10．4BiFET， BiMOS和CMOS構(gòu)成的差分放大電路
10．5運(yùn)算放大器基礎(chǔ)
10．6運(yùn)算放大器參數(shù)――直流補(bǔ)償參數(shù)
10．7運(yùn)算放大器參數(shù)――頻率參數(shù)
10．8運(yùn)算放大器規(guī)格說(shuō)明書(shū)
10．9小結(jié)
習(xí)題
第11章運(yùn)算放大器的應(yīng)用
11．1運(yùn)算電路
11．2有源濾波器
11．3比較器應(yīng)用
11．4施密特觸發(fā)器
11．5小結(jié)
習(xí)題
第12章功率放大器
12．1概述――功率放大器的定義與類型
12．2串饋型甲類功率放大器
12．3變壓器耦合甲類功率放大器
12．4乙類功率放大器的工作
12．5乙類功率放大器
12．6丙類和丁類功率放大器
12．7小結(jié)
習(xí)題
第13章反饋電路
13．1反饋的概念
13．2反饋的組態(tài)類型
13．3實(shí)用反饋電路
13．4反饋放大器――相位和頻率考慮
13．5小結(jié)
習(xí)題
書(shū)單推薦
