本書共6章，主要介紹了硅基應變半導體物理的相關(guān)內(nèi)容，重點討論了如何建立硅基應變材料能帶結(jié)構(gòu)與載流子遷移率模型，并分析了應變對硅基應變材料能帶結(jié)構(gòu)與載流子遷移率的影響。通過本書的學習，可為讀者以后學習應變器件物理奠定重要的理論基礎(chǔ)。

本書可作為高等院校微電子學與固體電子學專業(yè)研究生的參考書，也可供其他相關(guān)專業(yè)的學生參考。