傳統(tǒng)的晶體生長理論模型創(chuàng)建時，受時代限制，缺乏原位實時觀測晶體生長過程微觀結構演化的實驗基礎，難以真實、完整地反映晶體生長過程中微觀結構的演化。本書突破了晶體生長機理研究的傳統(tǒng)思維，采用高溫激光顯微拉曼光譜和同步輻射Ｘ射線衍射等現(xiàn)代觀測技術，從微觀尺度上，原位實時觀測晶體生長過程中微觀結構的演化。發(fā)現(xiàn)了晶體熔融生長時，熔體（高溫溶液）和晶體之間存在熔體（高溫溶液）結構向晶體結構過渡的晶體生長邊界層，在邊界層內，生長基元已具有單胞結構。生長晶面電荷靜電場的計算，證明了生長界面上存在周期性丘狀網(wǎng)格靜電場。生長基元在界面靜電場的作用下的取向獲得調整，并在靜電力的作用下準確疊合到生長界面的格位上。在這些研究的基礎上，創(chuàng)建了原創(chuàng)性的晶體生長邊界層理論模型，模型對晶體生長過程中微觀結構演化的各個環(huán)節(jié)都有實驗和理論描述，準確反映了晶體生長微觀結構演化的實際過程，并揭示了不少晶體生長宏觀規(guī)律或經(jīng)驗現(xiàn)象的微觀機制。

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