本書共7章，主要介紹了改性鍺半導體物理的相關內容，包括Ge帶隙類型轉變理論、改性鍺半導體能帶與遷移率理論、改性鍺能帶調制理論、改性鍺半導體光學特性理論以及改性鍺 MOS反型層能帶與遷移率理論等。通過本書的學習，可為讀者以后學習改性鍺器件物理奠定重要的理論基礎。

本書可作為高等院校微電子學與固體電子學專業(yè)研究生的參考書，也可供其他相關專業(yè)的學生參考。