目錄
第1章　半導體物理基礎　1
1.1　晶體結(jié)構(gòu)　1
1.2　能帶結(jié)構(gòu)　6
1.3　半導體中載流子的統(tǒng)計分布　9
1.4　載流子的漂移運動　16
1.5　載流子的擴散運動　21
1.6　非平衡載流子　24
1.7　半導體基本方程　32
習題　33
第2章　pn結(jié)　36
2.1　pn結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦浴?6
2.2　pn結(jié)空間電荷區(qū)基本特性　38
2.2.1　平衡pn結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)和載流子分布　38
2.2.2　非平衡pn結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)和載流子分布　40
2.2.3　pn結(jié)的電場和電勢分布　44
2.3　pn結(jié)的直流特性　47
2.3.1　非平衡pn結(jié)擴散區(qū)的載流子分布和擴散電流　47
2.3.2　pn結(jié)的勢壘復合電流和產(chǎn)生電流　48
2.3.3　正偏pn結(jié)的大注入效應　50
2.4　pn結(jié)的耗盡層電容　52
2.5　pn結(jié)的小信號交流特性　53
2.5.1　pn結(jié)的擴散電容　53
2.5.2　pn結(jié)的交流參數(shù)和等效電路　56
2.6　pn結(jié)的開關特性　56
2.7　pn結(jié)的擊穿　58
2.7.1　擊穿機理概述　58
2.7.2　雪崩擊穿條件　60
2.7.3　雪崩擊穿電壓的計算　62
習題　64
第3章　雙極型晶體管　66
3.1　雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)　66
3.2　雙極型晶體管內(nèi)載流子的輸運過程　67
3.3　雙極型晶體管的電流放大系數(shù)　70
3.3.1　均勻基區(qū)晶體管的電流增益因子的簡化推導　70
3.3.2　均勻基區(qū)晶體管電流增益因子的數(shù)學推導　72
3.3.3　緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)　77
3.3.4　發(fā)射區(qū)重摻雜條件下的禁帶變窄效應　80
3.3.5　大注入效應　81
3.4　晶體管的直流特性　84
3.4.1　晶體管的電流電壓方程　84
3.4.2　晶體管的擊穿電壓　88
3.4.3　縱向基區(qū)擴展效應　92
3.4.4　發(fā)射極電流集邊效應　94
3.4.5　晶體管的安全工作區(qū)　97
3.5　雙極型晶體管的頻率特性98
3.5.1　雙極型晶體管頻率特性概述　98
3.5.2　延遲時間的計算　99
3.5.3　晶體管的電流放大系數(shù)的頻率特性　100
3.5.4　晶體管的高頻等效電路和最高振蕩頻率　102
3.6　雙極型晶體管的開關特性　106
3.6.1　晶體管工作區(qū)域的劃分及其飽和工作狀態(tài)　106
3.6.2　晶體管的開關過程　108
習題　112
第4章　場效應晶體管　116
4.1　結(jié)型場效應晶體管　116
4.1.1　結(jié)型場效應晶體管的工作原理　116
4.1.2　JFET的電流-電壓方程　117
4.1.3　JFET的直流參數(shù)和頻率參數(shù)　121
4.1.4　JFET的短溝道效應　126
4.2　絕緣柵場效應晶體管　127
4.2.1　半導體表面的特性和理想MOS結(jié)構(gòu)　127
4.2.2　MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理　135
4.2.3　MOSFET的閾值電壓　138
4.2.4　MOSFET的電流電壓關系　143
4.2.5　MOSFET的亞閾區(qū)導電　148
4.2.6　MOSFET的擊穿電壓　150
4.2.7　MOSFET的高頻等效電路和頻率特性　154
4.2.8　MOSFET的短溝道效應　157
4.2.9　MOSFET閾值電壓的調(diào)整　163
4.2.10　MOSFET的縮比理論　168
4.2.11　熱電子效應和輻射效應　169
習題　171
第5章　金屬-半導體接觸和異質(zhì)結(jié)　174
5.1　金屬-半導體接觸　174
5.1.1　理想金屬-半導體接觸　174
5.1.2　非理想效應　177
5.1.3　金屬-半導體接觸的電流電壓關系　179
5.1.4　歐姆接觸的實現(xiàn)方法　182
5.2　異質(zhì)結(jié)　182
5.2.1　異質(zhì)結(jié)半導體材料能帶結(jié)構(gòu)的對應關系　183
5.2.2　異質(zhì)結(jié)的能帶圖的畫法　183
5.2.3　異質(zhì)結(jié)的基本特性　185
5.2.4　同型異質(zhì)結(jié)　188
5.3　應變異質(zhì)結(jié)　190
習題　195
第6章　半導體光電子器件　197
6.1　半導體的光吸收和光發(fā)射　197
6.1.1　光的基本性質(zhì)　197
6.1.2　光在半導體中的吸收　198
6.1.3　半導體的光發(fā)射　200
6.2　太陽能電池　202
6.3　光探測器件　205
6.4　發(fā)光二極管　207
6.4.1　發(fā)光二極管基礎　207
6.4.2　能帶工程　209
6.5　半導體激光器件　212
6.5.1　半導體激光器件基礎　212
6.5.2　量子阱激光器　217
6.5.3　垂直腔面發(fā)射激光器　222
習題　224
第7章　其他半導體器件　226
7.1　信息存儲器件　226
7.1.1　MOS電容器的動態(tài)特性　226
7.1.2　隨機存取存儲器　227
7.1.3　閃爍存儲器　229
7.1.4　CCD器件　231
7.2　負阻器件　234
7.2.1　隧道二極管　235
7.2.2　IMPATT器件　241
7.2.3　Gunn二極管　243
7.2.4　三端負阻器件　247
7.3　功率器件　250
7.3.1　晶閘管　250
7.3.2　VDMOS和LDMOS　255
7.3.3　絕緣柵控雙極型晶體管　259
習題　261
附錄A　物理常數(shù)表　263
附錄B　晶體結(jié)構(gòu)和晶格常數(shù)（A）　264
附錄C　重要半導體的基本性質(zhì)　265
附錄D　硅、砷化鎵和鍺的重要性質(zhì)　266
附錄E　二氧化硅和氮化硅的性質(zhì)　267
附錄F　硅中的雜質(zhì)能級　268
附錄G　砷化鎵中的雜質(zhì)能級　269
參考文獻　270