目錄
序
前言
第1章 緒論1
1.1 光刻機(jī)和光刻成像1
1.1.1 光刻機(jī)簡史1
1.1.2 光刻成像及其性能指標(biāo)2
1.1.3 影響光刻成像性能的主要因素3
1.2 傳統(tǒng)分辨率增強(qiáng)技術(shù)7
1.2.1 離軸照明7
1.2.2 相移掩模8
1.2.3 基于規(guī)則的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正9
1.2.4 偏振照明9
1.3 計(jì)算光刻技術(shù)11
1.3.1 光刻成像模型11
1.3.2 先進(jìn)計(jì)算光刻目標(biāo)函數(shù)14
1.3.3 先進(jìn)計(jì)算光刻算法16
參考文獻(xiàn)18
第2章 矢量計(jì)算光刻技術(shù)24
2.1 矢量光刻成像理論基礎(chǔ)24
2.1.1 二維矢量成像模型24
2.1.2 三維嚴(yán)格矢量光刻成像模型31
2.1.3 二維-三維的矢量光刻成像分析38
2.2 零誤差矢量計(jì)算光刻技術(shù)47
2.2.1 采用矢量成像模型的OPC技術(shù)47
2.2.2 采用矢量成像模型的SMO技術(shù)68
參考文獻(xiàn)88
第3章 快速-全芯片計(jì)算光刻技術(shù)92
3.1 壓縮感知計(jì)算光刻技術(shù)92
3.1.1 壓縮感知光源優(yōu)化技術(shù)92
3.1.2 非線性壓縮感知光源-掩模優(yōu)化技術(shù)104
3.2 貝葉斯壓縮感知計(jì)算光刻技術(shù)113
3.2.1 貝葉斯壓縮感知光源優(yōu)化技術(shù)113
3.2.2 非線性貝葉斯壓縮感知光源-掩模優(yōu)化技術(shù)122
3.3 全芯片壓縮感知計(jì)算光刻技術(shù)129
參考文獻(xiàn)133
第4章 高穩(wěn)定-高保真計(jì)算光刻技術(shù)137
4.1 誤差對計(jì)算光刻的影響137
4.1.1 波像差與偏振像差的定義與表征137
4.1.2 波像差對計(jì)算光刻的影響138
4.1.3 偏振像差對計(jì)算光刻的影響141
4.1.4 光源非均勻性與雜散光對計(jì)算光刻的影響142
4.2 高穩(wěn)定-高保真光源-掩模優(yōu)化技術(shù)145
4.2.1 低誤差敏感度的光源-掩模優(yōu)化技術(shù)145
4.2.2 全視場多目標(biāo)光源-掩模優(yōu)化技術(shù)168
4.3 高穩(wěn)定-高保真光瞳優(yōu)化技術(shù)183
4.3.1 多目標(biāo)標(biāo)量光瞳優(yōu)化技術(shù)184
4.3.2 多目標(biāo)矢量光瞳優(yōu)化技術(shù)200
參考文獻(xiàn)212
第5章 光源-掩模-工藝多參數(shù)協(xié)同計(jì)算光刻技術(shù)215
5.1 多參數(shù)協(xié)同優(yōu)化技術(shù)基礎(chǔ)215
5.1.1 工藝參數(shù)對圖形保真的影響215
5.1.2 多目標(biāo)函數(shù)構(gòu)建219
5.1.3 多參數(shù)協(xié)同優(yōu)化方法219
5.2 多參數(shù)協(xié)同優(yōu)化技術(shù)及應(yīng)用222
5.2.1 零誤差光刻系統(tǒng)的多參數(shù)協(xié)同優(yōu)化技術(shù)及應(yīng)用222
5.2.2 非零誤差光刻系統(tǒng)的多參數(shù)協(xié)同優(yōu)化技術(shù)及應(yīng)用227
參考文獻(xiàn)231