本書分為5章。第1章是對光催化技術的概述，包括其反應機理，影響因素和提高途徑；第2章主要介紹國內外銀基半導體光催化材料的研究進展，總結歸納近十年來報道的與之相關的銀基光催化材料；第3章從四個維度：零維、一維、二維和三維介紹了銀基光催化材料的結構，較為詳細地說明了相關材料的結構特性；第4章歸納總結了光催化材料常見的合成以及表征方法，并且著重介紹了幾種銀基光催化材料的合成、表征和光催化的特性，是本書的重點所在；第5章則是介紹了該光催化材料在實際中的應用，突出了相關材料的實用性。本書通過大量的實例和圖片進行直觀描述，力求結構清楚，強調邏輯性，合成方法具體，規(guī)律總結可信，例子選取有代表性，整體內容系統(tǒng)、新穎、使用。
劉文輝，男，1991年生，博士，中北大學，中級職稱。于2019年獲中北大學博士學位，后留校工作。主要從事光催化降解污染物，光電催化方面的研究工作。
第1章半導體光催化技術基礎1
1.1半導體光催化技術概述1
1.1.1光催化技術簡介1
1.1.2光催化反應機理2
1.1.3光催化活性的影響因素3
1.1.4半導體光催化性能的提高途徑9
1.1.5提高光催化材料分離的改性技術16
1.1.6光催化材料的發(fā)展趨勢17
1.2銀基半導體光催化劑的研究進展17
1.2.1金屬銀沉積和摻雜18
1.2.2鹵化銀及其復合21
1.2.3銀基金屬及多金屬氧化物23
1.2.4銀基非金屬化合物及其復合27
1.3銀基半導體光催化材料的應用31
1.3.1光催化在能源領域的應用31
1.3.2光催化在環(huán)境領域的應用43
第2章銀摻雜法銀基半導體光催化劑的制備、表征及其光催化性能研究49
2.1銀摻雜法銀基半導體光催化劑的制備49
2.1.1常用的銀基半導體光催化劑制備方法49
2.1.2Ag修飾Bi2GeO5光催化劑的制備53
2.2銀摻雜法銀基半導體光催化劑的表征54
2.2.1常用的銀基半導體光催化劑表征方法54
2.2.2Ag修飾Bi2GeO5光催化劑的表征59
2.3銀基半導體光催化劑催化性能研究64
2.3.1常用的銀基半導體光催化劑催化性能研究方法64
2.3.2Ag修飾Bi2GeO5光催化劑的性能研究66
2.4銀基半導體光催化劑光催化機理研究69
2.4.1常用的銀基半導體光催化劑催化機理研究方法69
2.4.2Ag修飾Bi2GeO5光催化劑光催化機理研究69
第3章鹵化銀光還原法銀基半導體光催化劑的制備及其光催化性能研究73
3.1Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑73
3.1.1Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑的制備74
3.1.2Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑的表征75
3.1.3Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑的性能研究79
3.1.4Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化劑機理研究82
3.2Ag@AgBr/Cu2O光催化劑84
3.2.1Ag@AgBr/Cu2O光催化劑的制備85
3.2.2Ag@AgBr/Cu2O光催化劑的表征85
3.2.3Ag@AgBr/Cu2O光催化劑的性能研究90
3.2.4Ag@AgBr/Cu2O光催化劑機理研究93
3.3Ag@AgI/TiO2光催化劑95
3.3.1Ag@AgI/TiO2光催化劑的制備95
3.3.2Ag@AgI/TiO2光催化劑的表征96
3.3.3Ag@AgI/TiO2光催化劑的性能研究100
3.3.4Ag@AgI/TiO2光催化劑機理研究103
第4章復合法銀基半導體光催化劑的制備及其光催化性能研究106
4.1TiO2/Ag3PO4光催化劑107
4.1.1TiO2/Ag3PO4光催化劑的制備109
4.1.2TiO2/Ag3PO4光催化劑的表征109
4.1.3TiO2/Ag3PO4光催化劑的性能研究113
4.2Ag3PO4/CeO2光催化劑116
4.2.1Ag3PO4/CeO2光催化劑的制備117
4.2.2Ag3PO4/CeO2光催化劑的表征117
4.2.3Ag3PO4/CeO2光催化劑的性能研究121
4.3Bi2MoO6/Ag3PO4光催化劑123
4.3.1Bi2MoO6/Ag3PO4光催化劑的制備123
4.3.2Bi2MoO6/Ag3PO4光催化劑的表征124
4.3.3Bi2MoO6/Ag3PO4光催化劑的性能研究129
參考文獻133
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