免费黄色小视频,好属妞视频这有精品6666,狠狠色丁香婷婷久久综合2025

《芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝》作者在半導體封裝領(lǐng)域擁有40多年的研發(fā)和制造經(jīng)驗�！缎玖ＴO(shè)計與異質(zhì)集成封裝》共分為6章，重點介紹了先進封裝技術(shù)前沿，芯片分區(qū)異質(zhì)集成和芯片切分異質(zhì)集成，基于TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成，基于無TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成，芯粒間的橫向通信，銅-銅混合鍵合等內(nèi)容。通過對這些內(nèi)容的學習，能夠讓讀者快速學會解決芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝相關(guān)問題的方法�！　　缎玖ＴO(shè)計與異質(zhì)集成封裝》可作為高等院校微電子學與固體電子學、電子科學與技術(shù)、集成電路科學與工程等專業(yè)的高年級本科生和研究生的教材和參考書，也可供相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員參考。

前　　言現(xiàn)階段至少有5種不同的芯粒（chiplet）設(shè)計與異質(zhì)集成封裝方法，分別是：1）芯片分區(qū)與異質(zhì)集成（由成本和技術(shù)優(yōu)化驅(qū)動）；2）芯片切分與異質(zhì)集成（由成本和半導體制造良率驅(qū)動）；3）基于積層封裝基板上薄膜布線層的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（2.1D IC集成）；4）基于無硅通孔（through silicon via，TSV）轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（2.3D IC集成）；5）基于TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（2.5D、3D IC集成）。在芯片分區(qū)與異質(zhì)集成中，例如帶有邏輯（logic）和輸入輸出（input/output，I/O）功能的SoC，被按功能劃分為邏輯芯粒和I/O芯粒。這些芯�？梢酝ㄟ^前道芯片-晶圓（chip-on-wafer，CoW）或晶圓-晶圓（wafer-on-wafer，WoW）工藝完成堆疊（集成），然后采用異質(zhì)集成技術(shù)將其組裝（集成）在單個封裝體的相同基板上。應(yīng)該強調(diào)的是，前道工藝芯粒集成能獲得更小的封裝面積和更好的電氣性能，不過這不是必需的。在芯片切分與異質(zhì)集成中，如邏輯芯片等SoC被切分為更小的芯粒，如邏輯1、邏輯2和邏輯3。然后通過前道CoW或WoW工藝方法進行集成（堆疊），再用異質(zhì)集成技術(shù)將這些芯粒組裝在單個封裝體的相同基板上。同樣地，芯粒的前道集成工藝也不是必需的。在基于積層封裝基板上薄膜布線層的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成中，例如中央處理器（central processing unit，CPU）、邏輯芯片、高帶寬存儲器（high bandwidth memory，HBM）等SoC是由含薄膜布線層的積層封裝基板支撐的，其發(fā)展是由高密度、高性能應(yīng)用場景中的性能、封裝外形等因素所驅(qū)動的。在基于無TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成中，例如CPU、邏輯芯片、HBM等SoC是由精細金屬線寬（L）/線距（S）的再布線層（redistribution layer，RDL）基板（有機轉(zhuǎn)接板）所支撐的，隨后再安裝在積層封裝基板上，其發(fā)展也是由高密度、高性能應(yīng)用場景中的性能、封裝外形等因素所驅(qū)動的。在基于TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成中，例如CPU、邏輯芯片、HBM等SoC是由無源（2.5D）或有源（3D）TSV轉(zhuǎn)接板支撐的，隨后再安裝在積層封裝基板上，其發(fā)展是由極高密度、極高性能應(yīng)用場景中的性能、封裝外形等因素所驅(qū)動的。在接下來的幾年里，我們將看到更多、更高水平的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝技術(shù)，有望在提高良率、降低成本、縮短面市時間、提升性能、改善封裝外形、降低功耗等方面獲得進一步的優(yōu)化。然而對于大多數(shù)工程師、管理者、科學家和研究者而言，這些芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝方法尚未被深刻理解。因此，目前無論是工業(yè)界還是學術(shù)界，都急需一本能對當前芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝技術(shù)進行全面講解的書籍�！缎玖ＴO(shè)計與異質(zhì)集成封裝》寫作的目的就是為了讓讀者能快速學會解決相關(guān)問題的方法；通過閱讀本書，還可以學習到在做系統(tǒng)層面決策時所必需的折中本質(zhì)�！缎玖ＴO(shè)計與異質(zhì)集成封裝》共分為6章，它們分別是：①先進封裝技術(shù)前沿；②芯片分區(qū)異質(zhì)集成和芯片切分異質(zhì)集成；③基于TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成；④基于無TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成；⑤芯粒間的橫向通信；⑥銅-銅混合鍵合。第1章介紹了半導體先進封裝領(lǐng)域的最新進展和技術(shù)趨勢。按照互連密度和電學性能，將先進封裝技術(shù)分為2D、2.1D、2.3D、2.5D和3D IC集成，并分別進行了描述和討論。同時也介紹了扇入型封裝技術(shù)，例如6面模塑的晶圓級芯片尺寸封裝（wafer-level chip-scale package，WLCSP）及其與常規(guī)WLCSP的對比。還介紹了扇出型封裝技術(shù)，例如先上晶且面朝上（chip-first with die face-up）、先上晶且面朝下（chip-first with die face-down）、后上晶（chip-last）等技術(shù)及它們之間的主要區(qū)別。第2章介紹了芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝，特別是芯片分區(qū)異質(zhì)集成以及芯片切分異質(zhì)集成。重點介紹了它們的優(yōu)點和缺點、設(shè)計、材料、工藝以及典型實例。本章首先將簡要介紹SoC以及美國國防部高級研究計劃局（Defense Advanced Research Projects Agency，DARPA）在芯粒異質(zhì)集成方面所做的努力。第3章介紹了基于無源/有源TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成技術(shù)的最新進展。重點介紹了基于TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成技術(shù)的定義、分類、優(yōu)點、缺點、挑戰(zhàn)（機遇）以及多個典型實例。此外，也提出了一些建議。第4章介紹了基于無TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成技術(shù)（2.3D IC集成）的最新進展。也介紹了2.3D IC集成（有機轉(zhuǎn)接板）的一些挑戰(zhàn)（機遇）。此外，對2.3D IC集成技術(shù)提出了一些建議。最后，將介紹有機轉(zhuǎn)接板的低損耗介電材料的特性。本章一開始還將簡要介紹一些扇出型封裝技術(shù)的基礎(chǔ)知識和最新進展。第5章介紹了芯粒間的橫向通信（橋連）技術(shù)。本章將介紹各種不同的橋連技術(shù)，包括嵌入在積層封裝基板和扇出型封裝的環(huán)氧模塑料（epoxy molding compound，EMC）中的剛性橋，以及其他應(yīng)用場景下的柔性橋。本章還將簡要介紹UCIe的相關(guān)內(nèi)容。第6章介紹了銅-銅混合鍵合的最新進展和技術(shù)趨勢。重點介紹了銅-銅無凸點混合鍵合的定義、類型、優(yōu)點、缺點、挑戰(zhàn)（機遇）以及典型實例。此外，也會提出一些建議。本章首先將簡要介紹直接銅-銅熱壓鍵合（thermocompression bonding，TCB）和直接SiO2-SiO2熱壓鍵合�！缎玖ＴO(shè)計與異質(zhì)集成封裝》面向的主要對象是以下三類專業(yè)人員：①已經(jīng)活躍在或者準備從事芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)人員；②在實際生產(chǎn)中遇到芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝技術(shù)方面的問題并想要理解和學習更多解決問題方法的技術(shù)人員；③希望為產(chǎn)品選擇一個可靠的、創(chuàng)新的、高性能的、高密度的、低功耗的以及高性價比的封裝方法的專業(yè)人士�！缎玖ＴO(shè)計與異質(zhì)集成封裝》同樣也可以作為有志成為我們電子行業(yè)、光電行業(yè)未來的領(lǐng)導者、科學家以及工程師的大學本科生和研究生的教科書。我希望在芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝技術(shù)發(fā)展前所未有的今天，當各位在面臨挑戰(zhàn)性難題的時候，《芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝》可以為各位提供有價值的參考。我也希望它有助于進一步推動芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝技術(shù)有關(guān)的研發(fā)工作，為我們提供更多技術(shù)全面的產(chǎn)品。當機構(gòu)或企業(yè)掌握了如何為他們的產(chǎn)品規(guī)劃并實現(xiàn)芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝的方法，他們將有望在電子和光電子產(chǎn)業(yè)盡享成本、性能、功能、密度、功率、帶寬、品質(zhì)、尺寸以及重量多方面性能提升所帶來的收益。我十分憧憬本書所提供的內(nèi)容可以幫助芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝技術(shù)的發(fā)展破除障礙，避免無效的投入，縮短設(shè)計、材料、工藝和制造的研發(fā)周期。John H.Lau　　于美國加利福尼亞州帕羅奧圖

前言第1章　先進封裝技術(shù)前沿 11.1　引言 11.2　倒裝芯片凸點成型及鍵合/組裝 41.2.1　倒裝芯片凸點成型 41.2.2　倒裝芯片鍵合/組裝 51.3　混合鍵合 61.3.1　混合鍵合的一些基本原理 61.3.2　索尼的CMOS圖像傳感器（CIS）混合鍵合 61.3.3　臺積電的混合鍵合 91.3.4　英特爾的混合鍵合 91.3.5　SK海力士的混合鍵合 111.4　2D IC集成 121.5　2.1D IC集成 131.5.1　封裝基板上的薄膜層 131.5.2　嵌入有機封裝基板的精細金屬線寬/線距RDL橋 151.5.3　嵌入扇出型環(huán)氧模塑料（EMC）的精細金屬線寬/線距RDL橋 161.5.4　精細金屬線寬/線距RDL柔性橋 181.6　2.3D IC集成 181.6.1　SAP/PCB方法 191.6.2　先上晶扇出型方法 211.6.3　后上晶扇出型方法 211.7　2.5D IC集成 241.7.1　AMD/聯(lián)電的2.5D IC集成 241.7.2　英偉達/臺積電的2.5D IC集成 251.7.3　2.5D IC集成的一些近期進展 261.8　3D IC集成 281.8.1　3D IC封裝（無TSV） 281.8.2　3D IC集成（有TSV） 311.9　芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 341.9.1　片上系統(tǒng)（SoC） 341.9.2　芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝方法 351.9.3　芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝的優(yōu)點和缺點 381.9.4　賽靈思的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 381.9.5　AMD的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 381.9.6　CEA-Leti的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 411.9.7　英特爾的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 411.9.8　臺積電的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 431.10　扇入型封裝 441.10.1　6面模塑的晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP） 441.10.2　WLCSP的可靠性：常規(guī)型與6面模塑型 461.11　扇出型封裝 481.12　先進封裝中的介質(zhì)材料 521.12.1　為什么需要低Dk和低Df的介質(zhì)材料 521.12.2　為什么需要低熱膨脹系數(shù)的介質(zhì)材料 521.13　總結(jié)和建議 53參考文獻 57第2章　芯片分區(qū)異質(zhì)集成和芯片切分異質(zhì)集成 892.1　引言 892.2　DARPA在芯粒異質(zhì)集成方面所做的努力 892.3　片上系統(tǒng)（SoC） 902.4　芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝方法 922.5　芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝的優(yōu)點和缺點 942.6　賽靈思的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 952.7　AMD的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 962.8　英特爾的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 1012.9　臺積電的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 1082.10　Graphcore的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 1112.11　CEA-Leti的芯粒設(shè)計與異質(zhì)集成封裝 1122.12　通用芯粒互聯(lián)技術(shù)（UCIe） 1142.13　總結(jié)和建議 114參考文獻 114第3章　基于TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1213.1　引言 1213.2　硅通孔（TSV） 1223.2.1　片上微孔 1233.2.2　TSV（先通孔工藝） 1233.2.3　TSV（中通孔工藝） 1243.2.4　TSV（正面后通孔工藝） 1243.2.5　TSV（背面后通孔工藝） 1253.3　無源TSV轉(zhuǎn)接板與有源TSV轉(zhuǎn)接板 1263.4　有源TSV轉(zhuǎn)接板的制備 1263.5　基于有源TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（3D IC集成） 1263.5.1　UCSB/AMD的基于有源TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1263.5.2　英特爾的基于有源TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1263.5.3　AMD的基于有源TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1293.5.4　CEA-Leti的基于有源TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1303.6　無源TSV轉(zhuǎn)接板的制作 1303.6.1　TSV的制作 1303.6.2　RDL的制作 1313.6.3　RDL的制作：聚合物與電鍍銅及刻蝕方法 1323.6.4　RDL的制作：SiO2與銅大馬士革電鍍及CMP方法 1343.6.5　關(guān)于銅大馬士革電鍍工藝中接觸式光刻的提示 1353.6.6　背面處理及組裝 1373.7　基于無源TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（2.5D IC集成） 1393.7.1　CEA-Leti的SoW（晶上系統(tǒng)） 1393.7.2　臺積電的CoWoS（基板上晶圓上芯片） 1393.7.3　賽靈思/臺積電的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1403.7.4　Altera/臺積電的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1423.7.5　AMD/聯(lián)電的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1423.7.6　英偉達/臺積電的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1443.7.7　臺積電含深槽電容（DTC）的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1443.7.8　三星帶有集成堆疊電容（ISC）的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1463.7.9　Graphcore的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1473.7.10　富士通的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1473.7.11　三星的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（I-Cube4） 1473.7.12　三星的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（H-Cube） 1493.7.13　三星的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（MIoS） 1493.7.14　IBM的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（TCB） 1493.7.15　IBM的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（混合鍵合） 1513.7.16　EIC及PIC的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（二維并排型） 1523.7.17　EIC及PIC的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成（三維堆疊型） 1523.7.18　Fraunhofer基于玻璃轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1533.7.19　富士通基于玻璃轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1533.7.20　Dai Nippon/AGC基于玻璃轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1553.7.21　GIT基于玻璃轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1553.7.22　漢諾威萊布尼茨大學/烏爾姆大學的化學鍍玻璃轉(zhuǎn)接板 1553.7.23　總結(jié)和建議 1563.8　基于堆疊TSV轉(zhuǎn)接板的異質(zhì)集成 1583.8.1　模型建立 1583.8.2　熱力設(shè)計 1583.8.3　支撐片制作 1613.8.4　薄晶圓夾持 1633.8.5　模塊組裝 1643.8.6　模塊可靠性評估 1653.8.7　總結(jié)和建議 1673.9　基于TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1673.9.1　基本結(jié)構(gòu) 1673.9.2　TSV刻蝕及CMP 1703.9.3　熱測量 1733.9.4　薄晶圓夾持 1733.9.5　微凸點成型、C2W組裝和可靠性評估 1753.9.6　20μm節(jié)距微焊點的失效機理 1783.9.7　微焊點中的電遷移 1783.9.8　最終結(jié)構(gòu) 1803.9.9　漏電流問題 1803.9.10　結(jié)構(gòu)的熱仿真及測量 1853.9.11　總結(jié)和建議 1863.10　基于TSV轉(zhuǎn)接板雙面集成芯片的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 1873.10.1　基本結(jié)構(gòu) 1873.10.2　熱分析——邊界條件 1893.10.3　熱分析——TSV等效模型 1903.10.4　熱分析——焊料凸點/底部填充料等效模型 1903.10.5　熱分析——結(jié)果 1913.10.6　熱力分析——邊界條件 1933.10.7　熱力分析——材料屬性 1933.10.8　熱力分析—結(jié)果 1943.10.9　TSV的制作 1963.10.10　轉(zhuǎn)接板頂面RDL的制作 2003.10.11　含有頂面RDL的填銅轉(zhuǎn)接板的露銅 2013.10.12　轉(zhuǎn)接板底面RDL的制作 2013.10.13　轉(zhuǎn)接板的無源電學特性 2043.10.14　最終組裝 2053.10.15　總結(jié)和建議 2083.11　基于硅穿孔（TSH）的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 2083.11.1　電學仿真及結(jié)果 2093.11.2　測試結(jié)構(gòu) 2113.11.3　含UBM/ 焊盤和銅柱凸點的頂部芯片 2133.11.4　含UBM/焊盤/焊料的底部芯片 2143.11.5　TSH轉(zhuǎn)接板 2163.11.6　最終組裝 2163.11.7　可靠性評估 2183.11.8　總結(jié)和建議 223參考文獻 223第4章　基于無TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成 2354.1　引言 2354.2　扇出型技術(shù) 2384.2.1　先上晶且面朝下 2384.2.2　先上晶且面朝上 2404.2.3　芯片偏移問題 2414.2.4　翹曲問題 2414.2.5　后上晶（先RDL） 2424.2.6　EIC和PIC器件的異質(zhì)集成 2454.2.7　封裝天線（AiP） 2454.3　專利問題 2474.4　基于扇出型（先上晶）封裝的2.3D IC集成 2474.4.1　扇出型（先上晶）封裝 2474.4.2　星科金朋的2.3D eWLB（先上晶） 2474.4.3　聯(lián)發(fā)科的扇出型（先上晶） 2484.4.4　日月光的FOCoS（先上晶） 2484.4.5　臺積電的InFO_oS和InFO_MS（先上晶） 2494.5　基于扇出型（后上晶）封裝的2.3D IC集成 2504.5.1　NEC/瑞薩電子的扇出型（后上晶或先RDL）封裝 2504.5.2　Amkor的SWIFT（后上晶） 2504.5.3　三星的無硅RDL 轉(zhuǎn)接板（后上晶） 2504.5.4　臺積電的多層RDL轉(zhuǎn)接板（后上晶） 2524.5.5　日月光的FOCoS（后上晶） 2524.5.6　矽品科技的大尺寸扇出型后上晶2.3D 2554.5.7　Shinko的2.3D有機轉(zhuǎn)接板（后上晶） 2554.5.8　三星的高性價比2.3D封裝（后上晶） 2574.5.9　欣興電子的2.3D IC集成（后上晶） 2574.6　其他的2.3D IC集成結(jié)構(gòu) 2594.6.1　Shinko的無芯有機轉(zhuǎn)接板 2594.6.2　英特爾的Knights Landing 2594.6.3　思科的無芯有機轉(zhuǎn)接板 2604.6.4　Amkor的SLIM 2604.6.5　賽靈思/矽品科技的SLIT 2624.6.6　矽品科技的NTI 2624.6.7　三星的無TSV轉(zhuǎn)接板 2624.7　總結(jié)和建議 2644.8　基于ABF的2.3D IC異質(zhì)集成 2654.8.1　基本結(jié)構(gòu) 2654.8.2　測試芯片 2674.8.3　晶圓凸點成型 2684.8.4 　精細金屬線寬/線距/線高的RDL基板（有機轉(zhuǎn)接板） 2684.8.5　積層封裝基板 2714.8.6　翹曲測量 2714.8.7　混合基板 2734.8.8　最終組裝 2754.8.9　有限元仿真及結(jié)果 2754.8.10　總結(jié)和建議 2814.9　基于互連層的2.3D IC集成 2814.9.1　基本結(jié)構(gòu) 2814.9.2　測試芯片 2824.9.3　精細金屬線寬/線距RDL轉(zhuǎn)接板 2824.9.4　互連層 2874.9.5　高密度互連（HDI）印制電路板（PCB） 2884.9.6　混合轉(zhuǎn)接板的最終組裝 2884.9.7　混合基板的特性 2894.9.8　最終組裝 2914.9.9　可靠性評估 2914.9.10　總結(jié)和建議 2994.10　2.3D IC異質(zhì)集成中的低損耗介質(zhì)材料的表征 3004.10.1　為什么需要低損耗介質(zhì)材料 3004.10.2　原材料及其數(shù)據(jù)表 3014.10.3　樣品準備 3024.10.4　法布里-珀羅開放式諧振腔（FPOR） 3044.10.5　使用Polar和ANSYS設(shè)計的測試結(jié)構(gòu) 3094.10.6　測試結(jié)構(gòu)制備 3114.10.7　時域反射儀（TDR）測量及結(jié)果 3134.10.8　有效介電常數(shù)（εeff） 3144.10.9　矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）測量及基于仿真結(jié)果的校正 3154.10.10　總結(jié)和建議 318參考文獻 318第5章　芯粒間的橫向通信 3315.1　引言 3315.2　剛性橋與柔性橋 3335.3　英特爾的EMIB 3335.3.1　EMIB技術(shù)的焊料凸點 3355.3.2　EMIB基板的制備 3355.3.3　EMIB的鍵合挑戰(zhàn) 3365.4　IBM的DBHi 3375.4.1　DBHi的焊料凸點 3375.4.2　DBHi的鍵合組裝 3385.4.3　DBHi的底部填充 3425.4.4　DBHi的主要挑戰(zhàn) 3445.5　舍布魯克大學/IBM的自對準橋 3445.5.1　自對準橋V形槽開口的工藝流程 3455.5.2　測試結(jié)果 3485.5.3　自對準橋的主要挑戰(zhàn) 3485.6　扇出型封裝剛性橋的專利 3485.7　臺積電的LSI 3505.8　矽品科技的FO-EB和FO-EB-T 3505.8.1　FO-EB 3515.8.2　FO-EB-T 3545.9　日月光的sFOCoS 3555.9.1　sFOCoS的基本結(jié)構(gòu)及工藝流程 3555.9.2　FOCoS-CL的基本結(jié)構(gòu)及工藝流程 3565.9.3　sFOCoS、FOCoS-CL之間的可靠性及翹曲比較 3575.10　Amkor的S-Connect 3585.10.1　含硅橋的S-Connect 3595.10.2　含模塑RDL橋的S-Connect 3605.11　IME的EFI 3615.11.1　EFI的工藝流程 3615.11.2　EFI的熱學性能 3635.12　imec的硅橋 3635.12.1　imec硅橋的基本結(jié)構(gòu) 3645.12.2　imec硅橋的工藝流程 3645.12.3　imec硅橋的主要挑戰(zhàn) 3655.13　UCIe聯(lián)盟 3655.14　柔性橋 3675.15　欣興電子的混合鍵合橋 3675.15.1　封裝基板上含C4凸點的混合鍵合橋 3685.15.2　芯粒晶圓上含C4凸點的混合鍵合橋 3685.16　總結(jié)和建議 369參考文獻 370第6章　銅-銅混合鍵合 3736.1　引言 3736.2　直接銅-銅熱壓鍵合 3736.2.1　直接銅-銅熱壓鍵合的一些基本原理 3736.2.2　IBM/RPI的銅-銅熱壓鍵合 3756.3　直接SiO2-SiO2熱壓鍵合 3756.3.1　SiO2-SiO2熱壓鍵合的一些基本原理 3756.3.2　麻省理工學院的SiO2-SiO2熱壓鍵合 3776.3.3　Leti/飛思卡爾/意法半導體的SiO2-SiO2熱壓鍵合 3776.4　銅-銅混合鍵合歷史的簡要介紹 3796.5　銅-銅混合鍵合的一些基本原理 3796.6　索尼的直接銅-銅混合鍵合 3816.6.1　索尼的CIS氧化物-氧化物熱壓鍵合 3816.6.2　索尼的CIS銅-銅混合鍵合 3846.6.3　索尼的三片晶圓混合鍵合 3866.6.4　索尼W2W混合鍵合的鍵合強度 3876.7　SK海力士的銅-銅混合鍵合 3886.7.1　面向DRAM應(yīng)用的混合鍵合 3886.7.2　鍵合良率的提升 3906.8　三星的銅-銅混合鍵合 3906.8.1　混合鍵合的特性 3906.8.2　焊盤結(jié)構(gòu)和版圖對混合鍵合的影響 3916.8.3　銅-銅混合鍵合的空洞 3926.8.4　12層存儲器堆疊的CoW混合鍵合 3936.9　TEL的銅-銅混合鍵合 3966.9.1　混合鍵合的仿真 3966.9.2　銅的濕法原子層刻蝕 3976.10　Tohoku的銅-銅鍵合 3986.10.1　銅晶粒粗化 3986.10.2　銅/PI系統(tǒng)的混合鍵合 4016.11　imec的銅-銅混合鍵合 4036.11.1　具有銅/SiCN表面形貌的混合鍵合 4036.11.2　D2W混合鍵合 4046.11.3　混合鍵合的熱學及機械可靠性 4076.12　CEA-Leti的銅-銅混合鍵合 4106.12.1　CEA-Leti/ams的無銅混合鍵合 4106.12.2　CEA-Leti/SET的D2W混合鍵合 4126.12.3　CEA-Leti/英特爾的D2W自組裝混合鍵合 4136.13　IME的銅-銅混合鍵合 4146.13.1　SiO2 W2W混合鍵合的仿真 4146.13.2　基于SiO2的C2W混合鍵合的仿真 4186.13.3　銅/聚合物C2W混合鍵合的仿真 4216.13.4　C2W混合鍵合的良率提升 4256.14　英特爾的銅-銅混合鍵合 4296.15　Xperi的銅-銅混合鍵合 4306.15.1　D2W混合鍵合—芯片尺寸效應(yīng) 4306.15.2　基于混合鍵合的多芯片堆疊 4316.16　應(yīng)用材料的銅-銅混合鍵合 4326.16.1　混合鍵合的介質(zhì)材料 4326.16.2　混合鍵合的開發(fā)平臺 4346.17　三菱的銅-銅混合鍵合 4366.18　欣興電子的混合鍵合 4376.19　D2W與W2W混合鍵合 4406.20　總結(jié)和建議 440參考文獻 442

你還可能感興趣

我要評論