前言
第1章概述1
1.1可靠性發(fā)展1
1.1.1國(guó)外可靠性發(fā)展1
1.1.2我國(guó)可靠性發(fā)展4
1.1.3可靠性發(fā)展的階段5
1.2質(zhì)量觀與可靠性概念5
1.2.1當(dāng)代質(zhì)量觀5
1.2.2可靠性的定義6
1.2.3經(jīng)濟(jì)性和安全性8
1.3可靠性工作的內(nèi)容9
1.3.1元器件工程9
1.3.2可靠性工作內(nèi)容9
1.3.3可靠性數(shù)學(xué)10
1.3.4可靠性物理11
1.3.5可靠性工程11
1.3.6可靠性設(shè)計(jì)和可靠性預(yù)計(jì)12
1.3.7可靠性試驗(yàn)12
1.3.8教育交流12
習(xí)題12
第2章可靠性數(shù)學(xué)13
2.1可靠性數(shù)學(xué)的重要性13
2.1.1可靠性問題的復(fù)雜化13
2.1.2電子元器件失效的概率性14
2.2可靠性數(shù)據(jù)的收集14
2.3可靠性基本術(shù)語和主要特征量16
2.3.1可靠度R或可靠度函數(shù)R(t)16
2.3.2失效概率或累積失效概率F(t)16
2.3.3失效率與瞬時(shí)失效率λ(t)17
2.3.4失效密度或失效密度函數(shù)f(t)18
2.3.5壽命18
2.3.6總結(jié)20
2.4電子元器件的失效規(guī)律20
2.4.1浴盆曲線20
2.4.2早期失效期21
2.4.3偶然失效期21
2.4.4耗損失效期21
2.5威布爾分布及其概率紙的結(jié)構(gòu)和用法22
2.5.1威布爾分布函數(shù)22
2.5.2威布爾概率紙26
2.5.3威布爾概率紙的應(yīng)用27
2.6指數(shù)分布偶然失效期的失效分布32
2.7正態(tài)分布或高斯分布33
2.7.1正態(tài)分布規(guī)律33
2.7.2失效率的狀態(tài)分布33
2.7.3正態(tài)分布概率紙35
2.8計(jì)算機(jī)威布爾概率紙的構(gòu)造及軟件分析法38
習(xí)題41
第3章可靠性試驗(yàn)43
3.1可靠性試驗(yàn)的意義43
3.1.1可靠性試驗(yàn)的目的與內(nèi)容43
3.1.2可靠性試驗(yàn)的分類44
3.1.3用于可靠性試驗(yàn)的失效判據(jù)49
3.1.4用于可靠性試驗(yàn)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)50
3.2抽樣理論及抽樣方法51
3.2.1抽樣檢驗(yàn)的理論基礎(chǔ)52
3.2.2抽樣的特性曲線54
3.2.3抽樣方案及程序55
3.3可靠性篩選試驗(yàn)59
3.3.1可靠性篩選的種類59
3.3.2篩選方法的評(píng)價(jià)60
3.3.3篩選方法的理論基礎(chǔ)61
3.3.4幾種常見可靠性篩選試驗(yàn)的作用原理及條件65
3.3.5篩選項(xiàng)目及篩選應(yīng)力的確定原則67
3.3.6篩選應(yīng)力大小及篩選時(shí)間的確定68
3.3.7失效模式與篩選試驗(yàn)方法的關(guān)系69
3.3.8幾種典型產(chǎn)品的可靠性篩選方案介紹71
3.4失效分布類型的檢驗(yàn)73
3.4.1分布擬合流程73
3.4.22檢驗(yàn)法74
3.4.3K-S檢驗(yàn)法75
3.5指數(shù)分布情況的壽命試驗(yàn)77
3.5.1試驗(yàn)方案的確定78
3.5.2壽命試驗(yàn)數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析點(diǎn)估計(jì)和區(qū)間估計(jì)81
3.6恒定應(yīng)力加速壽命試驗(yàn)86
3.6.1加速壽命試驗(yàn)的提出86
3.6.2加速壽命試驗(yàn)的理論基礎(chǔ)87
3.6.3加速壽命試驗(yàn)方案的考慮90
3.6.4加速壽命試驗(yàn)的數(shù)據(jù)處理91
3.6.5加速系數(shù)的確定96
3.7電子元器件失效率鑒定試驗(yàn)97
3.7.1置信度與失效率97
3.7.2試驗(yàn)方案的要求97
3.7.3失效率試驗(yàn)程序98
習(xí)題102
第4章可靠性物理103
4.1失效物理的基礎(chǔ)概念103
4.1.1失效物理的目標(biāo)和作用103
4.1.2材料的結(jié)構(gòu)、應(yīng)力和失效104
4.2失效物理模型和應(yīng)用107
4.2.1失效物理模型107
4.2.2失效物理的應(yīng)用110
4.3氧化層中的電荷112
4.3.1電荷的性質(zhì)與來源112
4.3.2對(duì)可靠性的影響114
4.3.3降低氧化層電荷的措施115
4.4熱載流子效應(yīng)115
4.4.1熱載流子效應(yīng)對(duì)器件性能的影響115
4.4.2電荷泵技術(shù)117
4.4.3退化量的表征119
4.4.4影響因素119
4.4.5改進(jìn)措施120
4.5柵氧擊穿120
4.5.1擊穿情況120
4.5.2擊穿機(jī)理122
4.5.3擊穿的數(shù)學(xué)模型與模擬123
4.5.4薄柵氧化層與高場(chǎng)有關(guān)的物理/統(tǒng)計(jì)模型123
4.5.5改進(jìn)措施125
4.6電遷移125
4.6.1電遷移原理125
4.6.2影響因素127
4.6.3失效模式128
4.6.4抗電遷移措施129
4.6.5鋁膜的再構(gòu)129
4.6.6應(yīng)力遷移129
4.7與鋁有關(guān)的界面效應(yīng)130
4.7.1鋁與二氧化硅130
4.7.2鋁與硅130
4.7.3金與鋁132
4.8熱電效應(yīng)133
4.8.1熱阻133
4.8.2熱應(yīng)力134
4.8.3熱穩(wěn)定因子134
4.8.4二次擊穿136
4.9CMOS電路的閂鎖效應(yīng)136
4.9.1物理過程137
4.9.2檢測(cè)方法138
4.9.3抑制閂鎖效應(yīng)的方法138
4.10靜電放電損傷139
4.10.1靜電的來源140
4.10.2損傷機(jī)理與部位140
4.10.3靜電損傷模式140
4.10.4靜電損傷模型及靜電損傷靈敏度141
4.10.5防護(hù)措施142
4.11輻射損傷142
4.11.1輻射來源142
4.11.2輻照效應(yīng)143
4.11.3核電磁脈沖損傷143
4.11.4抗核加固144
4.12軟誤差144
4.12.1產(chǎn)生機(jī)理144
4.12.2臨界電荷145
4.12.3改進(jìn)措施145
4.13水汽的危害146
4.13.1水汽的來源與作用146
4.13.2鋁布線的腐蝕146
4.13.3外引線的銹蝕147
4.13.4電特性退化147
4.13.5改進(jìn)措施147
4.14失效分析方法148
4.14.1失效分析的目的和內(nèi)容148
4.14.2失效分析程序和失效分析的一般原則149
4.14.3常用微觀分析設(shè)備概述152
4.14.4電子元器件的失效機(jī)理及其分析簡(jiǎn)述154
習(xí)題155
第5章基礎(chǔ)元器件的可靠性156
5.1電阻器和電位器、保險(xiǎn)電阻的可靠性156
5.1.1電阻器156
5.1.2電位器162
5.1.3熔斷電阻器164
5.1.4電阻器與電位器的可靠性設(shè)計(jì)165
5.1.5電阻器與電位器的失效機(jī)理與分析167
5.2電容器的可靠性173
5.2.1常用的電容器173
5.2.2可靠性應(yīng)用184
5.2.3電容器的可靠性設(shè)計(jì)187
5.2.4電容器的失效機(jī)理與分析188
5.3連接類器件的可靠性195
5.3.1連接器195
5.3.2繼電器198
5.3.3連接類器件的失效機(jī)理與