調(diào)制與缺陷結(jié)構(gòu)晶體學(xué)
定 價(jià):118 元
- 作者:姜小明,郭國(guó)聰
- 出版時(shí)間:2025/6/1
- ISBN:9787030819703
- 出 版 社:科學(xué)出版社
- 中圖法分類(lèi):O76
- 頁(yè)碼:239
- 紙張:
- 版次:1
- 開(kāi)本:B5
調(diào)制與缺陷結(jié)構(gòu)在很大程度上影響著材料的性質(zhì)與功能,通過(guò)實(shí)驗(yàn)手段重構(gòu)物質(zhì)或材料的調(diào)制與缺陷結(jié)構(gòu)對(duì)闡明其構(gòu)效關(guān)系機(jī)制十分重要。實(shí)驗(yàn)上通?衫肵射線(xiàn)、中子、電子的衍射和總散射等手段來(lái)研究調(diào)制與缺陷結(jié)構(gòu)。本書(shū)系統(tǒng)性地介紹了調(diào)制結(jié)構(gòu)和缺陷結(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)測(cè)試、模型構(gòu)建與結(jié)構(gòu)精修所涉及的理論與技術(shù),同時(shí)也對(duì)完美晶體結(jié)構(gòu)研究所需的晶體學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)作了必要的介紹,旨在讓讀者全面了解物質(zhì)和材料中調(diào)制與缺陷結(jié)構(gòu)的分析方法。
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2002.09 – 2006.07 中南大學(xué),無(wú)機(jī)非金屬材料,學(xué)士
2006.09 – 2011.07 中科院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所,無(wú)機(jī)化學(xué),博士2011.10 – 2014.04 南京大學(xué),物理學(xué),博士后
2014.08 – 2015.09 德國(guó)慕尼黑工業(yè)大學(xué),無(wú)機(jī)化學(xué),博士后
2015.11 –2022.12 中科院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所,副研究員
2023.1 –現(xiàn)在 中科院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所,研究員國(guó)家重大科研儀器研制項(xiàng)目 "材料功能態(tài)電子結(jié)構(gòu)的X射線(xiàn)單晶衍射系統(tǒng)"的子課題"材料功能態(tài)電子結(jié)構(gòu)功能模塊的研制"
目錄
序一
序二
前言
第1章 調(diào)制與缺陷結(jié)構(gòu)晶體學(xué)概述 1
1.1 引言 1
1.2 物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu) 2
1.2.1 晶體結(jié)構(gòu) 3
1.2.2 電子結(jié)構(gòu) 5
1.2.3 磁結(jié)構(gòu) 8
1.3 晶格缺陷 10
1.3.1 點(diǎn)缺陷 10
1.3.2 線(xiàn)缺陷 10
1.3.3 面缺陷 11
1.3.4 體缺陷 11
1.3.5 拓?fù)淙毕?11
1.3.6 孿晶 11
1.3.7 疇 12
1.4 調(diào)制與缺陷結(jié)構(gòu) 13
1.4.1 調(diào)制結(jié)構(gòu) 13
1.4.2 缺陷結(jié)構(gòu) 15
1.4.3 局域缺陷 17
1.5 調(diào)制與缺陷結(jié)構(gòu)的表征手段 17
1.5.1 單晶衍射 20
1.5.2 粉末衍射 21
1.5.3 全散射 22
1.5.4 X射線(xiàn)吸收譜 27
參考文獻(xiàn) 29
第2章 完美晶體結(jié)構(gòu) 33
2.1 引言 33
2.2 晶體幾何與對(duì)稱(chēng)性 33
2.2.1 晶體宏觀對(duì)稱(chēng)性 33
2.2.2 晶體微觀對(duì)稱(chēng)性 37
2.2.3 晶系、點(diǎn)群、布拉維格子與空間群 40
2.3 晶體結(jié)構(gòu)分析中的基本計(jì)算 49
2.3.1 度量矩陣 49
2.3.2 倒格子 51
2.3.3 基矢變換 54
2.3.4 三斜到直角坐標(biāo)系變換 56
2.3.5 直角坐標(biāo)系中的旋轉(zhuǎn) 59
2.3.6 其他晶體學(xué)計(jì)算 60
2.3.7 結(jié)構(gòu)因子的計(jì)算 64
2.3.8 電子密度函數(shù)的計(jì)算 64
2.4 最小二乘算法 66
2.4.1 線(xiàn)性最小二乘 66
2.4.2 帶有限制條件的線(xiàn)性最小二乘 68
2.4.3 非線(xiàn)性非限制最小二乘 69
2.5 單晶結(jié)構(gòu)精修 70
2.6 粉末結(jié)構(gòu)里特沃爾德(Rietveld)精修 72
2.7 X射線(xiàn)衍射方法 74
2.7.1 湯姆孫(Thomson)散射 74
2.7.2 衍射原理 74
2.7.3 電子散射因子 76
2.7.4 原子散射因子 76
2.7.5 溫度因子 77
2.7.6 分子或單胞散射因子 78
2.7.7 晶體的衍射 79
2.8 晶體結(jié)構(gòu)解析 87
2.8.1 帕特森(Patterson)函數(shù)法 88
2.8.2 直接法 89
2.8.3 電荷翻轉(zhuǎn)法 92
2.8.4 結(jié)構(gòu)補(bǔ)全與精修 93
參考文獻(xiàn) 94
第3章 調(diào)制結(jié)構(gòu) 95
3.1 引言 95
3.2 三維空間中描述調(diào)制結(jié)構(gòu) 96
3.2.1 非周期性序 96
3.2.2 周期性晶體的衍射 101
3.2.3 調(diào)制晶體的衍射 104
3.3 多余一個(gè)調(diào)制矢量 106
3.4 調(diào)制結(jié)構(gòu)的超空間描述 107
3.4.1 倒易超空間 108
3.4.2 直超空間 112
3.4.3 原子間距 t圖 116
3.4.4 結(jié)構(gòu)因子 119
3.4.5 調(diào)制晶體的對(duì)稱(chēng)性 120
參考文獻(xiàn) 130
第4章 缺陷結(jié)構(gòu) 132
4.1 引言 132
4.2 一維疊層無(wú)序 134
4.2.1 衍射強(qiáng)度 134
4.2.2 層對(duì)概率與相關(guān)系數(shù) 135
4.2.3 疊層無(wú)序衍射強(qiáng)度的遞歸算法 138
4.3 生長(zhǎng)無(wú)序(growth disorder)模型 141
4.3.1 一維占據(jù)無(wú)序 141
4.3.2 一維位移無(wú)序 147
4.3.3 高維占據(jù)無(wú)序 149
4.3.4 高維位移無(wú)序 156
4.3.5 占位和位移缺陷相互作用 159
4.4 伊辛(Ising)模型 161
4.4.1一維最近鄰模型 161
4.4.2一維次近鄰模型 162
4.4.3 二維模型 164
4.4.4 廣義高斯模型 167
4.4.5 占據(jù)和位移缺陷相互作用 168
4.5 次晶(paracrystal)無(wú)序模型 168
4.5.1 次晶結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 168
4.5.2 次晶模型 171
4.5.3 擾晶模型 173
4.5.4 理想次晶 175
參考文獻(xiàn) 179
第5章 缺陷序結(jié)構(gòu)的重構(gòu)算法 181
5.1 引言 181
5.2 遺傳算法 182
5.2.1 基本概念 182
5.2.2 算法流程 183
5.2.3 代碼實(shí)現(xiàn) 184
5.3 差分進(jìn)化算法 188
5.3.1 基本概念 189
5.3.2 算法流程 190
5.3.3 代碼實(shí)現(xiàn) 191
5.4 免疫算法 196
5.4.1 基本概念 196
5.4.2 算法流程 197
5.4.3 代碼實(shí)現(xiàn) 198
5.5 蟻群優(yōu)化算法 204
5.5.1 基本概念 204
5.5.2 算法流程 205
5.5.3 代碼實(shí)現(xiàn) 206
5.6 粒子群算法 210
5.6.1 基本概念 210
5.6.2 算法流程 212
5.6.3 代碼實(shí)現(xiàn) 212
5.7 模擬退火算法 216
5.7.1 基本概念 216
5.7.2 算法流程 217
5.7.3 代碼實(shí)現(xiàn) 218
5.8 禁忌搜索算法 222
5.8.1 基本概念 222
5.8.2 算法流程 223
5.8.3 代碼實(shí)現(xiàn) 224
5.9 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法 229
5.9.1 基本概念 229
5.9.2 應(yīng)用前景 232
參考文獻(xiàn) 232
索引 233