書單推薦
更多
新書推薦
更多

III族氮化物的X射線衍射分析

III族氮化物的X射線衍射分析

定  價:128 元

叢書名:半導體科學與技術(shù)叢書

        

  • 作者:王文樑
  • 出版時間:2025/6/1
  • ISBN:9787030826497
  • 出 版 社:科學出版社
  • 中圖法分類:O657.39 
  • 頁碼:222
  • 紙張:
  • 版次:1
  • 開本:B5
9
7
8
8
2
7
6
0
4
3
9
0
7

讀者對象:從事半導體材料研究、開發(fā)與生產(chǎn)的工程技術(shù)人員,高等院校和科研院所材料科學、集成電路、應用物理等相關(guān)專業(yè)的師生,關(guān)注或從事III族氮化物相關(guān)研究的讀者,可作為系統(tǒng)了解X射線衍射分析方法及其在氮化物材料研究中應用的專業(yè)讀物

本書以III族氮化物的X射線衍射分析為核心,系統(tǒng)地闡述了該技術(shù)在薄膜表征中的多方面應用。全書共7章,各章節(jié)內(nèi)容既相互獨立又有機聯(lián)系。第1章概述了III族氮化物薄膜的研究現(xiàn)狀、X射線衍射的基本原理及其在該材料體系中的應用背景;第2章深入探討了X射線衍射在薄膜面內(nèi)外取向關(guān)系分析中的具體應用;第3章重點介紹了原位X射線衍射技術(shù)及其在薄膜外延生長實時監(jiān)測中的應用;第4章詳細論述了X射線衍射測定薄膜晶格常數(shù)的技術(shù)要點,并對測量誤差來源進行了系統(tǒng)分析;第5章全面闡述了X射線衍射在薄膜應力分析中的應用,包括應力來源、影響因素及優(yōu)化策略;第6章著重探討了X射線衍射技術(shù)在薄膜缺陷表征中的應用及其誤差控制方法;第7章則從單層和多層結(jié)構(gòu)兩個維度系統(tǒng)介紹了X射線衍射在薄膜厚度及層數(shù)分析中的具體應用。

更多科學出版社服務,請掃碼獲取。
 你還可能感興趣
 我要評論
您的姓名   驗證碼: 圖片看不清?點擊重新得到驗證碼
留言內(nèi)容