傳統(tǒng)的晶體生長理論模型創(chuàng)建時，受時代限制，缺乏原位實時觀測晶體生長過程微觀結(jié)構(gòu)演化的實驗基礎(chǔ)，難以真實、完整地反映晶體生長過程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。本書突破了晶體生長機(jī)理研究的傳統(tǒng)思維，采用高溫激光顯微拉曼光譜和同步輻射Ｘ射線衍射等現(xiàn)代觀測技術(shù)，從微觀尺度上，原位實時觀測晶體生長過程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。發(fā)現(xiàn)了晶體熔融生長時，

這是一本闡述合金元素Cr、Mo對FeAl金屬間化合物強(qiáng)韌性作用機(jī)理理論研究的書。本書系統(tǒng)闡述了基于第一性原理方法，合金元素對B2FeAl和DO3Fe3Al固溶相、FeAl和Fe3Al晶界、FeAl/Fe3Al相界面，以及析出和沉淀相分別對FeAl和Fe3Al的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、力學(xué)性能和電子結(jié)構(gòu)的影響，得到了不同合金元素對F

應(yīng)用數(shù)學(xué)分析基礎(chǔ)是在重慶大學(xué)“高等數(shù)學(xué)”課程教材體系改革試點工作的配套講義的基礎(chǔ)上歷經(jīng)20多年修訂而成的.與傳統(tǒng)高等數(shù)學(xué)教材相比,本書不僅注重讓學(xué)生理解、掌握高等數(shù)學(xué)的內(nèi)容,同時也強(qiáng)調(diào)培養(yǎng)學(xué)生實事求是的科學(xué)態(tài)度、嚴(yán)謹(jǐn)踏實的科學(xué)作風(fēng)和追根究底的科學(xué)精神.全書共分四冊,本冊為多元函數(shù)微積分學(xué),內(nèi)容包括n維歐氏空間、多元函數(shù)

本書是石油高等院�！督Y(jié)晶學(xué)與礦物學(xué)》、《晶體光學(xué)》相關(guān)課程的配套實驗指導(dǎo)書，與課堂理論緊密結(jié)合，并將礦物內(nèi)部結(jié)構(gòu)、宏觀特征及顯微鏡下特征結(jié)合起來，使學(xué)生更容易通過實驗掌握常見造巖礦物的鑒定特征。本書可作為指導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行結(jié)晶學(xué)與礦物學(xué)、晶體光學(xué)實驗時使用。

本書是B·K·伐因斯坦（主編）與A·A·契爾諾夫和L·A·蘇伏洛夫主持編寫的4卷本巨著《現(xiàn)代晶體學(xué)》中的第4卷.本書由有名學(xué)者L·A·蘇伏洛夫牽頭的8位專家共同編寫.本書是一本關(guān)于晶體物理性質(zhì)基本概念、理論和技術(shù)的有名著作，著重從晶體學(xué)基礎(chǔ)的角度來編排內(nèi)容，對晶體物理性質(zhì)的理論和實踐進(jìn)行了全面、系統(tǒng)的介紹，對廣大讀者有

《結(jié)晶學(xué)與礦物學(xué)教程/普通高等教育十三五規(guī)劃教材》分5篇18章：第Ⅰ篇晶體幾何學(xué)，含1～3章，包括晶體及其性質(zhì)、晶體宏觀對稱、單形與聚形、空間格子、晶體結(jié)晶系統(tǒng)、七個晶系、230種空間群等；第Ⅱ篇晶體化學(xué)與晶體生長，含4～5章，包括晶體化學(xué)、晶體結(jié)構(gòu)、晶體生長物理化學(xué)、熱力學(xué)等；第Ⅲ篇礦物性質(zhì)及鑒定方法，含6～9章，包

本書對透射電子顯微鏡的構(gòu)造、實驗技術(shù)的原理和應(yīng)用進(jìn)行了詳細(xì)介紹。第二版已對第一版內(nèi)容進(jìn)行了修訂和更新。解釋了為什么需要用到這一特殊的技術(shù)以及如何將這一特定概念運(yùn)用到實踐中。全書分為上下兩冊，共4篇，總計40章。第一篇主要介紹一些與透射電子顯微鏡相關(guān)的基本概念，包括電子衍射的基礎(chǔ)知識、儀器的構(gòu)造與功能，以及透射電子顯微鏡

本書用傳輸理論、熱力學(xué)、統(tǒng)計物理學(xué)和動力學(xué)理論系統(tǒng)地總結(jié)和解釋了晶體生長過程，著重討論了熔體生長特別是直拉法生長。結(jié)合溫場、溶質(zhì)分凝、液流效應(yīng)等問題做了仔細(xì)的分析并給出相應(yīng)的物理解釋。對不同生長系統(tǒng)中的的生長動力學(xué)采用統(tǒng)一的觀點加以闡述。本書是一本全面論述晶體生長理論的專著，既可作為高等院校學(xué)生和研究有關(guān)晶體生長課程的

《HVPE法生長自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究》結(jié)合著者在該領(lǐng)域的研究成果，介紹了獲得高質(zhì)量自支撐GaN單晶的方法。《HVPE法生長自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究》的研究工作主要有以下四個方面：第2章介紹了V／Ⅲ對GaN晶體質(zhì)量和光電性質(zhì)的影響，并對其作用機(jī)理進(jìn)行了分析。隨著V／Ⅲ的增加，GaN單晶中的位錯密度降低、殘余應(yīng)

本書共分為10章，內(nèi)容包括：緒論、晶體生長的基本規(guī)律、晶體的面角恒等及投影、晶體的宏觀對稱、單形和聚形、晶體定向和結(jié)晶符號、實際晶體的形態(tài)和規(guī)則連生、晶體結(jié)構(gòu)的幾何理論、晶體化學(xué)基礎(chǔ)、晶體結(jié)構(gòu)。