本書內(nèi)容以實(shí)用性為出發(fā)點(diǎn)，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的原理、制造工藝、特性表征、市場現(xiàn)狀以及針對(duì)關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)計(jì)方法。針對(duì)GaN器件，從材料特性、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應(yīng)用，最后還介紹了目前主流的技術(shù)和GaN公司。

本書針對(duì)后摩爾時(shí)代集成電路產(chǎn)業(yè)日益嚴(yán)重的功耗問題，介紹芯片功耗、工作電壓和場效應(yīng)晶體管亞閾值特性的關(guān)系，并通過解析鐵電負(fù)電容場效應(yīng)晶體管陡峭亞閾值特性工作機(jī)理，闡明鐵電負(fù)電容場效應(yīng)晶體管技術(shù)對(duì)于突破后摩爾時(shí)代功耗瓶頸的關(guān)鍵作用。

本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進(jìn)展和學(xué)術(shù)界的最新研究成果，詳細(xì)介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢、特性及測試方法、應(yīng)用技術(shù)和各應(yīng)用領(lǐng)域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對(duì)比，雙脈沖測試技術(shù)，SiC器件的測試

《薄膜晶體管材料與技術(shù)》是戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材體系——“先進(jìn)功能材料與技術(shù)”系列教材之一。本書歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術(shù)，總結(jié)和梳理TFT相關(guān)的基礎(chǔ)理論知識(shí)，包括材料物理與化學(xué)、器件物理、工藝原理以及實(shí)際應(yīng)用設(shè)計(jì)原理，進(jìn)一步提出新見解，為TFT技術(shù)的發(fā)展提供理論指導(dǎo)和方向參考。本書以T

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強(qiáng)，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當(dāng)前對(duì)大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實(shí)驗(yàn)創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

本書是一本微電子技術(shù)方面的入門書籍，全面介紹了半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識(shí)。全書分為三個(gè)部分共19章，首先介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)，講解了半導(dǎo)體物理方面的相關(guān)知識(shí)以及半導(dǎo)體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和其他結(jié)型器件的基本物理特性，并給出了相關(guān)特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場效應(yīng)器件，除了講

本書提供了在各個(gè)工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲(chǔ)應(yīng)用之后，本書重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲(chǔ)器

。本冊(cè)為《半導(dǎo)體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學(xué)制備與提純、半導(dǎo)體材料的生長、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書系統(tǒng)總結(jié)具有電子相變特性的過渡族化合物半導(dǎo)體材料體系，詳細(xì)介紹其晶體結(jié)構(gòu)、電輸運(yùn)與磁性、電子相轉(zhuǎn)變?cè)�理、材料合成與潛在應(yīng)用等。全書共12章，其中第1章總述現(xiàn)有電子相變材料體系以及常見電子相變?cè)�理。由于具有相同的價(jià)電子數(shù)的過渡族元素的化合物中的軌道構(gòu)型具有一定相近性，第2～11章將進(jìn)一步按照副族周期元素對(duì)三十余種電子

第一章介紹了光子計(jì)算機(jī)發(fā)展的歷史以及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的概念。第二章重點(diǎn)介紹了物理儲(chǔ)層計(jì)算的原理，以及一些與光子計(jì)算相關(guān)的重要概念——品質(zhì)因數(shù)、拓?fù)渚W(wǎng)絡(luò)、線性和非線性記憶容量。第三章介紹了儲(chǔ)層集成的最新技術(shù)，主要集中在被動(dòng)架構(gòu)的實(shí)現(xiàn)，以及如何通過光電探測器實(shí)現(xiàn)非線性變換的原理。第四章介紹了大規(guī)模光子儲(chǔ)層的潛力，重點(diǎn)討論了幾種可以