《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個(gè)部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫(xiě)，加深讀者對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過(guò)五個(gè)章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對(duì)稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、

本書(shū)講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類(lèi)型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點(diǎn)等；將功率器件測(cè)試分為特性測(cè)試、極限能力測(cè)試、高溫可靠性測(cè)試、電應(yīng)力可靠性測(cè)試和壽命測(cè)試等，并詳細(xì)介紹了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理，同步分析了測(cè)試設(shè)備和數(shù)據(jù)

集成電路與等離子體裝備

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械變形-電場(chǎng)-熱場(chǎng)-載流子分布等物理場(chǎng)的耦合分析十分復(fù)雜。《彈性半導(dǎo)體的多場(chǎng)耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場(chǎng)耦合問(wèn)題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

目前以有機(jī)/聚合物和半導(dǎo)體量子點(diǎn)為代表的新型電致發(fā)光材料與器件受到了國(guó)內(nèi)外眾多企業(yè)和人士的廣泛關(guān)注。本書(shū)從新型電致發(fā)光材料與器件原理，以及關(guān)鍵材料的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用技術(shù)出發(fā)，內(nèi)容涵蓋有機(jī)電致發(fā)光概念與過(guò)程、有機(jī)電致發(fā)光材料、有機(jī)電致發(fā)光器件、半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料、半導(dǎo)體量子點(diǎn)電致發(fā)光器件、鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件等。全書(shū)反

本書(shū)基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)制造過(guò)程中存在的問(wèn)題，介紹了多種改進(jìn)的批間控制和過(guò)程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過(guò)程概述，包括國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過(guò)程監(jiān)控。第4～7章討論機(jī)臺(tái)干擾、故障、度量時(shí)延對(duì)系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

本書(shū)系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動(dòng)力學(xué)方法、動(dòng)力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時(shí)間從亞皮秒量級(jí)到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)

本書(shū)全面闡述了半導(dǎo)體刻蝕加工及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工原理與工藝，詳細(xì)講述了硅折點(diǎn)納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類(lèi)典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對(duì)第三代半導(dǎo)體碳化硅的電場(chǎng)和金屬輔助化學(xué)刻蝕復(fù)合加工、第三代半導(dǎo)體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場(chǎng)和濕法刻蝕復(fù)合加工工藝進(jìn)行了詳細(xì)論述。

傳感器是信息獲取的源頭，位于信息技術(shù)鏈條的最前端。本書(shū)從氣體傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域和系統(tǒng)分類(lèi)出發(fā)，重點(diǎn)圍繞基于混成電位原理的固體電解質(zhì)氣體傳感器的研究進(jìn)展、發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)進(jìn)行介紹。本書(shū)主要內(nèi)容包括固體電解質(zhì)氣體傳感器的種類(lèi)和特點(diǎn)、釔穩(wěn)定氧化鋯基混成電位型氣體傳感器的混成電位原理、增感策略、高效三相界面構(gòu)筑、其他增感策略以

超結(jié)是功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的創(chuàng)新的耐壓層結(jié)構(gòu)之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結(jié)型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的硅極限關(guān)系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關(guān)系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關(guān)系，被譽(yù)為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的里程碑。本書(shū)概述了功率半導(dǎo)體器件的基本信息，重點(diǎn)介紹了作者在功率超結(jié)器件研

單片智能功率芯片是一種功能與結(jié)構(gòu)高度集成化的高低壓兼容芯片，其內(nèi)部集成了高壓功率器件、高低壓轉(zhuǎn)換電路及低壓邏輯控制電路等，高壓厚膜SOI基橫向IGBT器件（高壓厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作開(kāi)關(guān)器件，是該芯片中的核心器件，其性能直接決定了芯片的可靠性和功耗。本書(shū)共7章：介紹了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原

本書(shū)主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對(duì)象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結(jié)構(gòu)的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了理論和實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。

本書(shū)以著名光子學(xué)家郭光燦院士指出的“書(shū)乃明理于本始，惠澤于世人……探微索隱，刻意研精，識(shí)其真要，奉獻(xiàn)讀者”為旨要，以12章成體，以激光單元技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)為用。首先對(duì)各種單元技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、運(yùn)轉(zhuǎn)機(jī)理等基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行介紹；然后分別介紹激光調(diào)制、偏轉(zhuǎn)、調(diào)Q、超短脈沖、放大、橫模選取、縱模選取、穩(wěn)頻、非線性光學(xué)、激光微束等技術(shù)，其

本書(shū)根據(jù)國(guó)內(nèi)外近十幾年來(lái)氧化物半導(dǎo)體TiO2和WO3的氧空位調(diào)控及其光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)特性的研究進(jìn)展，結(jié)合作者的研究成果撰寫(xiě)而成，系統(tǒng)地介紹了采用離子注入、水熱法和真空退火等技術(shù)方法，通過(guò)對(duì)TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、濃度的調(diào)控，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)的調(diào)制，獲得更為理想的鐵磁性能和表面增強(qiáng)拉曼光譜性能。本

全書(shū)較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機(jī)理及其可靠性建模與測(cè)評(píng)等，既有理論原理、仿真分析、又有實(shí)驗(yàn)測(cè)試等。全書(shū)內(nèi)容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設(shè)計(jì)優(yōu)化和測(cè)試奠定理論基礎(chǔ)；同時(shí)也為實(shí)現(xiàn)柔直裝備安全運(yùn)行的狀態(tài)評(píng)估和主動(dòng)運(yùn)維提供技術(shù)支撐，從而進(jìn)一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

本書(shū)介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書(shū)共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

半導(dǎo)體光電子學(xué)是研究半導(dǎo)體光子和光電子器件的學(xué)科，涉及各種半導(dǎo)體光電子器件的物理概念、工作原理及制作技術(shù)，在能源、顯示、傳感和通信等領(lǐng)域都擁有廣泛的應(yīng)用�！禕R》本書(shū)主要包括半導(dǎo)體材料基本性質(zhì)、半導(dǎo)體光電子器件基本結(jié)構(gòu)、載流子注入與速率方程、半導(dǎo)體激光器基本理論、光信號(hào)調(diào)制、半導(dǎo)體光電探測(cè)器、太陽(yáng)能光熱與光伏、半導(dǎo)體光

本書(shū)采用通俗易懂的語(yǔ)言、圖文并茂的形式，詳細(xì)講解了智能制造SMT設(shè)備操作與維護(hù)的相關(guān)知識(shí)，覆蓋了SMT生產(chǎn)線常用的設(shè)備，主要包括上板機(jī)、印刷機(jī)、SPI設(shè)備、雙軌平移機(jī)、貼片機(jī)、AOI設(shè)備、緩存機(jī)、回流焊、X-ray激光檢測(cè)儀、AGV機(jī)器人、傳感器、烤箱、電橋等，還對(duì)SMT生產(chǎn)線的運(yùn)行管理做了介紹。本書(shū)內(nèi)容豐富實(shí)用，講解

薄膜晶體管（TFT）是一種金屬-絕緣層-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，迄今已經(jīng)歷了60年的發(fā)展，在原理與技術(shù)方面的創(chuàng)新層出不窮。《薄膜晶體管原理與技術(shù)》首先概述TFT的物理基礎(chǔ)及典型薄膜工藝原理；接著以氫化非晶硅、低溫多晶硅、金屬氧化物和有機(jī)TFT為主，系統(tǒng)介紹TFT相關(guān)的材料、器件及制備技術(shù)；再以有源驅(qū)動(dòng)液晶顯示和有機(jī)發(fā)光顯示兩種

本書(shū)面向世界科技前沿和國(guó)家重大需求，針對(duì)高效率Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計(jì)和制造的關(guān)鍵問(wèn)題，基于作者在III族氮化物L(fēng)ED外延生長(zhǎng)和芯片制造領(lǐng)域十余年的研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，融入國(guó)內(nèi)外同行在這一領(lǐng)域的研究成果，從藍(lán)光/綠光/紫外LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料生長(zhǎng)、水平結(jié)構(gòu)/倒裝結(jié)構(gòu)/垂直結(jié)構(gòu)/高壓LED芯片設(shè)計(jì)與制造工藝、LED