本書(shū)系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動(dòng)力學(xué)方法、動(dòng)力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時(shí)間從亞皮秒量級(jí)到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)

本書(shū)以工程應(yīng)用為目標(biāo)，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問(wèn)題及最新應(yīng)用問(wèn)題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎(chǔ)原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見(jiàn)不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來(lái)的可靠性問(wèn)題。全書(shū)結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個(gè)經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關(guān)工藝的概念和原理，也可作為類(lèi)似不良

本書(shū)譯自美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)潘定中教授所著OpticalScanningHolographywithMATLAB？一書(shū)。該書(shū)簡(jiǎn)明扼要地梳理了傅里葉光學(xué)和波動(dòng)光學(xué)的基礎(chǔ)知識(shí)，重點(diǎn)闡述了光學(xué)掃描全息的理論和應(yīng)用，并用MATLAB進(jìn)行數(shù)學(xué)建模和應(yīng)用分析。

《微納結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體光探測(cè)器》以微納結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體光探測(cè)器為主要研究對(duì)象，全面闡述了微納結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體光探測(cè)器的理論設(shè)計(jì)方法、制備工藝及測(cè)試方法，較為系統(tǒng)、完整地介紹了基于不同類(lèi)型微納結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體光探測(cè)器的性能指標(biāo)、應(yīng)用以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。通過(guò)閱讀《微納結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體光探測(cè)器》，讀者可以比較全面地了解相關(guān)的原理技術(shù)和應(yīng)用前景。

本書(shū)全面闡述了半導(dǎo)體刻蝕加工及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工原理與工藝，詳細(xì)講述了硅折點(diǎn)納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類(lèi)典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對(duì)第三代半導(dǎo)體碳化硅的電場(chǎng)和金屬輔助化學(xué)刻蝕復(fù)合加工、第三代半導(dǎo)體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場(chǎng)和濕法刻蝕復(fù)合加工工藝進(jìn)行了詳細(xì)論述。

本書(shū)主要介紹微/納機(jī)電系統(tǒng)(MEMS/NEMS)諧振器動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)理論、分析方法及應(yīng)用技術(shù)。全書(shū)共9章，主要內(nèi)容包括：MEMS/NEMS技術(shù)基礎(chǔ)和MEMS/NEMS諧振器技術(shù)的發(fā)展歷程與發(fā)展趨勢(shì)；諧振器的工作原理、諧振結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)理論及分析技術(shù)；諧振器件制備涉及的材料、微納加工工藝及技術(shù)；諧振器中存在的豐富非線性現(xiàn)象和復(fù)雜動(dòng)

本書(shū)是一本工學(xué)結(jié)合的專(zhuān)業(yè)英語(yǔ)教材，共分6個(gè)模塊。其中前4個(gè)模塊共24個(gè)項(xiàng)目，主要涉及電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)、電子儀器和設(shè)備、通信技術(shù)、高新電子技術(shù)方面的內(nèi)容。每個(gè)項(xiàng)目設(shè)計(jì)4項(xiàng)任務(wù)，通過(guò)問(wèn)題引入，一步步引導(dǎo)讀者進(jìn)行閱讀理解、口語(yǔ)訓(xùn)練和實(shí)踐練習(xí)，覆蓋專(zhuān)業(yè)英語(yǔ)聽(tīng)、說(shuō)、讀、寫(xiě)的全過(guò)程。后2個(gè)模塊為專(zhuān)業(yè)英語(yǔ)基礎(chǔ)知識(shí)部分，主要介紹專(zhuān)業(yè)英

本書(shū)重點(diǎn)介紹薄膜、厚膜及粉體樣品組合材料芯片高通量制備技術(shù)及其應(yīng)用示范，內(nèi)容依托國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目“低維組合材料芯片高通量制備及快速篩選關(guān)鍵技術(shù)與裝備”（2016YFB0700200），同時(shí)增加了國(guó)內(nèi)外相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的研究進(jìn)展、應(yīng)用案例和專(zhuān)利分析。本書(shū)技術(shù)內(nèi)容11章：基于物理氣相沉積的薄膜組合材料芯片高通量制備技術(shù)，基

本書(shū)分上、下兩冊(cè)，由5個(gè)模塊組成，共12章�！峨娮訉�(duì)抗原理(上冊(cè))》主要介紹電磁環(huán)境和電子對(duì)抗偵察2個(gè)模塊，包括電子對(duì)抗的概念、技術(shù)、發(fā)展，電磁空間與電磁環(huán)境、戰(zhàn)場(chǎng)電磁環(huán)境構(gòu)成、電磁兼容、電磁防護(hù)，通信和雷達(dá)對(duì)抗偵察中的信號(hào)搜索與截獲、偵察信號(hào)處理、無(wú)線電測(cè)向原理和無(wú)源定位原理，以及激光主動(dòng)偵察和被動(dòng)告警、紅外告警和紫

本書(shū)凝結(jié)了雷達(dá)對(duì)抗領(lǐng)域中交叉眼干擾技術(shù)的**成果，系統(tǒng)論述了可有效對(duì)抗單脈沖雷達(dá)的多源反向交叉眼干擾理論與技術(shù)，為反向交叉眼干擾的工程應(yīng)用提供參考。內(nèi)容可以分為三部分：第一部分在分析對(duì)抗單脈沖測(cè)角雷達(dá)的干擾現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，著重介紹交叉眼干擾的理論發(fā)展歷程、現(xiàn)役裝備，論述傳統(tǒng)交叉眼干擾的若干應(yīng)用難題；第二部分闡述性能優(yōu)于傳