芯片制造——半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程（第六版）
定 價(jià)：89 元
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- 作者：（美）Peter Van Zant（彼得·范·贊特）
- 出版時(shí)間：2020/12/1
- ISBN：9787121399831
- 出 版 社：電子工業(yè)出版社
- 中圖法分類(lèi)：TN430.5
- 頁(yè)碼：384
- 紙張：
- 版次：01
- 開(kāi)本：16K
本書(shū)是一本介紹半導(dǎo)體集成電路和器件制造技術(shù)的專(zhuān)業(yè)書(shū)， 在半導(dǎo)體領(lǐng)域享有很高的聲譽(yù)。本書(shū)的討論范圍包括半導(dǎo)體工藝的每個(gè)階段： 從原材料的制備到封裝、 測(cè)試和成品運(yùn)輸， 以及傳統(tǒng)的和現(xiàn)代的工藝。全書(shū)提供了詳細(xì)的插圖和實(shí)例， 并輔以小結(jié)和習(xí)題， 以及豐富的術(shù)語(yǔ)表。第六版修訂了微芯片制造領(lǐng)域的新進(jìn)展， 討論了用于圖形化、 摻雜和薄膜步驟的先進(jìn)工藝和尖端技術(shù)， 使隱含在復(fù)雜的現(xiàn)代半導(dǎo)體制造材料與工藝中的物理、 化學(xué)和電子的基礎(chǔ)信息更易理解。本書(shū)的主要特點(diǎn)是避開(kāi)了復(fù)雜的數(shù)學(xué)問(wèn)題介紹工藝技術(shù)內(nèi)容， 并加入了半導(dǎo)體業(yè)界的新成果， 可以使讀者了解工藝技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)。
Peter Van Zant 國(guó)際知名半導(dǎo)體專(zhuān)家，具有廣闊的工藝工程、培訓(xùn)、咨詢(xún)和寫(xiě)作方面的背景，他曾先后在IBM和德州儀器（TI）工作，之后再硅谷，又先后在美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體（National Semiconductor）和單片存儲(chǔ)器（Monolithic Memories）公司任晶圓制造工藝工程和管理職位。他還曾在加利福尼亞州洛杉磯的山麓學(xué)院（Foothill College）任講師，講授半導(dǎo)體課程和針對(duì)初始工藝工程師的高級(jí)課程。他是《半導(dǎo)體技術(shù)詞匯》（第三版）（Semiconductor Technology Glossary, Third Edition）、 《集成電路教程》（Integrated Circuits Text）、《安全第一手冊(cè)》（Safety First Manual）和《芯片封裝手冊(cè)》（Chip Packaging Manual）的作者。他的書(shū)和培訓(xùn)教程被多家芯片制造商、產(chǎn)業(yè)供貨商、學(xué)院和大學(xué)所采用。
韓鄭生，男，中科院微電子研究所研究員/教授，博士生導(dǎo)師，研究方向?yàn)槲㈦娮訉W(xué)與固體電子學(xué)，從事集成電路工藝技術(shù)、電路設(shè)計(jì)方面的工作，曾任高級(jí)工程師，光刻工藝負(fù)責(zé)人，研究室副主任兼任測(cè)試工藝負(fù)責(zé)人，硅工程中心產(chǎn)品部主任，項(xiàng)目/課題負(fù)責(zé)人。國(guó)家特殊津貼獲得者。國(guó)家自然基金面上項(xiàng)目評(píng)審專(zhuān)家。
目錄
第1章半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
1.1引言
1.2一個(gè)產(chǎn)業(yè)的誕生
1.3固態(tài)時(shí)代
1.4集成電路
1.5工藝和產(chǎn)品趨勢(shì)
1.6半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的構(gòu)成
1.7生產(chǎn)階段
1.8微芯片制造過(guò)程發(fā)展的
60年
1.9納米時(shí)代
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第2章半導(dǎo)體材料和化學(xué)品的特性
2.1引言
2.2原子結(jié)構(gòu)
2.3元素周期表
2.4電傳導(dǎo)
2.5絕緣體和電容器
2.6本征半導(dǎo)體
2.7摻雜半導(dǎo)體
2.8電子和空穴傳導(dǎo)
2.9半導(dǎo)體生產(chǎn)材料
2.10半導(dǎo)體化合物
2.11鍺化硅
2.12襯底工程
2.13鐵電材料
2.14金剛石半導(dǎo)體
2.15工藝化學(xué)品
2.16物質(zhì)的狀態(tài)
2.17物質(zhì)的性質(zhì)
2.18壓力和真空
2.19酸、 堿和溶劑
2.20化學(xué)純化和清洗
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第3章晶體生長(zhǎng)與硅晶圓制備
3.1引言
3.2半導(dǎo)體硅制備
3.3晶體材料
3.4晶體定向
3.5晶體生長(zhǎng)
3.6晶體和晶圓質(zhì)量
3.7晶圓制備
3.8切片
3.9晶圓刻號(hào)
3.10磨片
3.11化學(xué)機(jī)械拋光
3.12背面處理
3.13雙面拋光
3.14邊緣倒角和拋光
3.15晶圓評(píng)估
3.16氧化
3.17包裝
3.18工程化晶圓（襯底）
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第4章晶圓制造和封裝概述
4.1引言
4.2晶圓生產(chǎn)的目標(biāo)
4.3晶圓術(shù)語(yǔ)
4.4芯片術(shù)語(yǔ)
4.5晶圓生產(chǎn)的基礎(chǔ)工藝
4.6薄膜工藝
4.7晶圓制造實(shí)例
4.8晶圓中測(cè)
4.9集成電路的封裝
4.10小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第5章污染控制
5.1引言
5.2污染源
5.3凈化間的建設(shè)
5.4凈化間的物質(zhì)與供給
5.5凈化間的維護(hù)
5.6晶圓表面清洗
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第6章生產(chǎn)能力和工藝良品率
6.1引言
6.2良品率測(cè)量點(diǎn)
6.3累積晶圓生產(chǎn)良品率
6.4晶圓生產(chǎn)良品率的制約因素
6.5封裝和最終測(cè)試良品率
6.6整體工藝良品率
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第7章氧化
7.1引言
7.2二氧化硅層的用途
7.3熱氧化機(jī)制
7.4氧化工藝
7.5氧化后評(píng)估
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第8章十步圖形化工藝流程——從表面
制備到曝光
8.1引言
8.2光刻工藝概述
8.3光刻十步法工藝過(guò)程
8.4基本的光刻膠化學(xué)
8.5光刻膠性能的要素
8.6光刻膠的物理屬性
8.7光刻工藝： 從表面制備到
曝光
8.8表面制備
8.9涂光刻膠（旋轉(zhuǎn)式）
8.10軟烘焙
8.11對(duì)準(zhǔn)和曝光
8.12先進(jìn)的光刻
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第9章十步圖形化工藝流程——從顯影
到最終檢驗(yàn)
9.1引言
9.2硬烘焙
9.3刻蝕
9.4濕法刻蝕
9.5干法刻蝕
9.6干法刻蝕中光刻膠的影響
9.7光刻膠的去除
9.8去膠的新挑戰(zhàn)
9.9最終目檢
9.10掩模版的制作
9.11小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第10章下一代光刻技術(shù)
10.1引言
10.2下一代光刻工藝的挑戰(zhàn)
10.3其他曝光問(wèn)題
10.4其他解決方案及其挑戰(zhàn)
10.5晶圓表面問(wèn)題
10.6防反射涂層
10.7高級(jí)光刻膠工藝
10.8改進(jìn)刻蝕工藝
10.9自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)
10.10刻蝕輪廓控制
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第11章?lián)诫s
11.1引言
11.2擴(kuò)散的概念
11.3擴(kuò)散形成的摻雜區(qū)和結(jié)
11.4擴(kuò)散工藝的步驟
11.5淀積
11.6推進(jìn)氧化
11.7離子注入簡(jiǎn)介
11.8離子注入的概念
11.9離子注入系統(tǒng)
11.10離子注入?yún)^(qū)域的雜質(zhì)
濃度
11.11離子注入層的評(píng)估
11.12離子注入的應(yīng)用
11.13摻雜前景展望
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第12章薄膜淀積
12.1引言
12.2化學(xué)氣相淀積基礎(chǔ)
12.3CVD的工藝步驟
12.4CVD系統(tǒng)分類(lèi)
12.5常壓CVD系統(tǒng)
12.6低壓化學(xué)氣相淀積
（LPCVD）
12.7原子層淀積
12.8氣相外延
12.9分子束外延
12.10金屬有機(jī)物CVD
12.11淀積膜
12.12淀積的半導(dǎo)體膜
12.13外延硅
12.14多晶硅和非晶硅淀積
12.15SOS和SOI
12.16在硅上生長(zhǎng)砷化鎵
12.17絕緣體和絕緣介質(zhì)
12.18導(dǎo)體
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第13章金屬化
13.1引言
13.2淀積方法
13.3單層金屬
13.4多層金屬設(shè)計(jì)
13.5導(dǎo)體材料
13.6金屬塞
13.7濺射淀積
13.8電化學(xué)鍍膜
13.9化學(xué)機(jī)械工藝
13.10CVD金屬淀積
13.11金屬薄膜的用途
13.12真空系統(tǒng)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第14章工藝和器件的評(píng)估
14.1引言
14.2晶圓的電特性測(cè)量
14.3工藝和器件評(píng)估方法
14.4物理測(cè)試方法
14.5層厚的測(cè)量
14.6柵氧化層完整性電學(xué)
測(cè)量
14.7結(jié)深
14.8污染物和缺陷檢測(cè)
14.9總體表面特征
14.10污染認(rèn)定
14.11器件電學(xué)測(cè)量
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第15章晶圓制造中的商業(yè)因素
15.1引言
15.2晶圓制造的成本
15.3自動(dòng)化
15.4工廠層次的自動(dòng)化
15.5設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
15.6統(tǒng)計(jì)制程控制
15.7庫(kù)存控制
15.8質(zhì)量控制和ISO 9000認(rèn)證
15.9生產(chǎn)線(xiàn)組織架構(gòu)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第16章器件和集成電路組成的
介紹
16.1引言
16.2半導(dǎo)體器件的形成
16.3MOSFET按比例縮小帶來(lái)
的挑戰(zhàn)的替代方案
16.4集成電路的形成
16.5BiMOS
16.6超導(dǎo)體
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第17章集成電路簡(jiǎn)介
17.1引言
17.2電路基礎(chǔ)
17.3集成電路的類(lèi)型
17.4下一代產(chǎn)品
習(xí)題
參考文獻(xiàn)第18章封裝
18.1引言
18.2芯片的特性
18.3封裝功能和設(shè)計(jì)
18.4引線(xiàn)鍵合工藝
18.5凸點(diǎn)或焊球工藝示例
18.6封裝設(shè)計(jì)
18.7封裝類(lèi)型和技術(shù)小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
書(shū)單推薦
